Add to Quick Collection
All 27 Results
Showing items 1 - 15 of 27.
Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 6. С. 8-15
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Изготовлены три вида nBn -структур на основе теллурида кадмия - ртути, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В качестве барьерных слоев в nBn -структурах использовался Hg1-x Cd x Te при x
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 9. С. 5-16
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Представлены описание методики и результаты моделирования энергетической диаграммы, а также электрофизических и фотоэлектрических характеристик униполярных барьерных структур на основе гетероэпитаксиа
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 5. С. 77-85
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description:
Впервые экспериментально исследован адмиттанс nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в широком диапазоне частот и температур. Состав CdTe в барьерном слое ис
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 118-124
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description:
Экспериментально исследованы вольт-амперные характеристики nBn- структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs, в диапазоне температур 9-300 К.
... More
Authors:
Ижнин, Игорь Иванович |
Коротаев, Александр Григорьевич |
Мынбаев, Карим Джафарович |
Варавин, Василий Семенович |
Дворецкий, Сергей Алексеевич |
Михайлов, Николай Николаевич (физик) |
Якушев, Максим Витальевич |
Бончик, Александр Юрьевич |
Войцеховский, Александр Васильевич |
Фицич, Елена Ивановна |
Савицкий, Григорий Владимирович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 222-226
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 5. С. 3-8
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Изготовлены два вида длинноволновых nBn-структур на основе теллурида кадмия и ртути, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs(013). Для каждого вида приборов боковые стен
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 3. С. 76-87
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Представлены результаты исследований адмиттанса униполярных барьерных структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs (013). С использованием па
... More
Source: Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 4. С. 33-35
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Пленки n-Hg0.775Cd0.225Te с приповерхностными широкозонными слоями выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из Si (013). Для измерений адмиттанса структуры металл-диэлектрик-пол
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 5. С. 62-69
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 2. С. 141-150
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
В диапазоне температур 9–200 К экспериментально исследованы температурные зависимости дифференциального сопротивления области пространственного заряда в режиме сильной инверсии для МДП-структур на осн
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 6. С. 3-11
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 257-261
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
В работе приводятся результаты исследований полной проводимости МДП-структур на основе гетероэпи-таксиального МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с диэлектрическими покрытиями SiO2-Si3N4 и Al2O3 в диапазоне часто
... More
Source: Прикладная физика. 2020. № 1. С. 25-31
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Изучены темновые токи в средневолновых nBn-структурах на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013). Пассивация поверхности боковых стенок мезаструктур
... More
Source: Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49, вып. 3. С. 379-384
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 4. С. 102-109
Type: статьи в журналах
Date: 2014