Численное моделирование униполярных барьерных фоточувствительных структур на основе МЛЭ n-HgCdTe

doi:10.17223/00213411/66/9/1

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Численное моделирование униполярных барьерных фоточувствительных структур на основе МЛЭ n-HgCdTe	602 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.17223/00213411/66/9/1

#численное моделирование

#барьерная структура

#молекулярно-лучевая эпитаксия

#униполярная структура

Title: Численное моделирование униполярных барьерных фоточувствительных структур на основе МЛЭ n-HgCdTe
Title: Numerical simulation of unipolar photo-sensitive barrier structures based on MBE n-HgCdTe
Creator: Войцеховский, Александр Васильевич
|
Григорьев, Денис Валерьевич
|
Дзядух, Станислав Михайлович
|
Горн, Дмитрий Игоревич
|
Михайлов, Николай Николаевич (физик)
|
Дворецкий, Сергей Алексеевич
Date: 2023
DOI: 10.17223/00213411/66/9/1
Description: Представлены описание методики и результаты моделирования энергетической диаграммы, а также электрофизических и фотоэлектрических характеристик униполярных барьерных структур на основе гетероэпитаксиальных структур HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Проведено сопоставление проведенных ранее измерений вольт-амперных характеристик с результатами моделирования, которое демонстрирует, что предложенная модель адекватно описывает характеристики реальных экспериментальных образцов, выращенных методом МЛЭ.