Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
гетероструктуры | 2015

Add to Quick Collection   All 4 Results

Showing items 1 - 4 of 4.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Generalized Muller-Kern formula for equilibrium thickness of a wetting layer with respect to the dependence of the surface energy of island facets on the thickness of the 2D layer
Authors: Lozovoy, Kirill A. | Kokhanenko, Andrey P. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Physical chemistry chemical physics. 2015. Vol. 17, № 44. P. 30052-30056
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Experimental results indicate a particular importance of such a value as the equilibrium thickness of the wetting layer during epitaxial growth according to the Stranski–Krastanow mechanism in systems ... More
Add   Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates
Authors: Romanov, I. S. | Brudnyi, Valentin N. | Kopyev, V. V. | Novikov, Vadim A. | Marmalyuk, A. A. | Kureshov, V. A. | Sabitov, D. R. | Mazalov, A. V. | Prudaev, Ilya A.
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 57, № 11. P. 1604-1608
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The results of studies of blue LED InGaN/GaN heterostructures with a short-period InGaN/GaN superlattice in front of an active region of the structure grown on flat and patterned Al2O3 substrates are ... More
Add   Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctions
Authors: Timofeev, V. A. | Nikiforov, Alexander I. | Mashanov, V. I. | Tuktamyshev, A. R. | Loshkarev, I. D. | Kokhanenko, Andrey P.
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 58, № 7. P. 965-969
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Results of investigations into the synthesis of heterostructures based on Ge–Si–Sn materials by the method of low-temperature molecular beam epitaxy are presented. The formation of epitaxial films dur ... More
Add   Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn
Authors: Тимофеев, Вячеслав Алексеевич | Никифоров, Александр Иванович | Машанов, Владимир Иванович | Туктамышев, Артур Раисович | Лошкарев, Иван Дмитриевич | Коханенко, Андрей Павлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 81-85
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Представлены результаты исследований по синтезу гетероструктур на основе материалов Ge–Si–Sn методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Формирование эпитаксиальных пленок контролировало ... More
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
^