Add to Quick Collection
All 239 Results
Showing items 226 - 239 of 239.
Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 269-270
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Authors:
Горн, Дмитрий Игоревич |
Ижнин, Игорь Иванович |
Ижнин, Александр Иванович |
Гольдин, Виктор Данилович |
Михайлов, Николай Николаевич (физик) |
Дворецкий, Сергей Алексеевич |
Сидоров, Юрий Георгиевич |
Якушев, Максим Витальевич |
Варавин, Василий Семенович |
Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8. С. 50-55
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 251-252
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 232-233
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 249-250
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8. С. 56-62
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 69-70
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 136-137
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2011. № 4. С. 32-41
Type: статьи в журналах
Date: 2011
Source: Молодежная научная конференция Томского государственного университета, 2009 г.. Томск, 2010. Вып. 2 : Проблемы естествознания. С. 415-417
Type: статьи в сборниках
Date: 2010
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 9. С. 26-33
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description:
Для выращивания пленок GaAs с низкой плотностью прорастающих дефектов в представленной работе был использован метод низкотемпературной атомно-слоевой эпитаксии GaAs на начальной стадии формирования ге
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 9. С. 59-64
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description:
В настоящее время большое внимание уделяется детальному рассмотрению фундаментальных свойств Ge/Si-гетероструктур с нанокластерами Ge. В работе рассматриваются потенциальные возможности использования
... More
Source: Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 129-138
Type: статьи в журналах
Date: 2005
Type: диссертации
Date: 2001