Управление параметрами массива квантовых точек Ge на поверхности Si в процессе роста

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Управление параметрами массива квантовых точек Ge на поверхности Si в процессе роста	322 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Управление параметрами массива квантовых точек Ge на поверхности Si в процессе роста
Creator: Коханенко, Андрей Павлович
|
Лозовой, Кирилл Александрович
|
Турапин, Алексей Михайлович
|
Сатдаров, Вадим Газизович
|
Пищагин, Антон Александрович
|
Войцеховский, Александр Васильевич
Contributor: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
-: Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ
Date: 2012

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет | Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 232-233
Language: rus

Created: 30-04-2013

2370 Visitors

2065 Hits

345 Downloads

Журналы ТГУ Управление параметрами массива квантовых точек Ge на поверхности Si в процессе роста