Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
Preview
Add to "Quick Collection"
Description
Size
Format
Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23)
553 KB
Adobe Acrobat PDF
Read
Download
#молекулярно-лучевая эпитаксия
#теллурид кадмия ртути
#МДП-структуры
Title
Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23)
Creator
Несмелов, Сергей Николаевич
|
Дзядух, Станислав Михайлович
|
Васильев, Владимир Васильевич (физик)
|
Варавин, Василий Семенович
|
Дворецкий, Сергей Алексеевич
|
Михайлов, Николай Николаевич (физик)
|
Сидоров, Юрий Георгиевич
|
Якушев, Максим Витальевич
|
Войцеховский, Александр Васильевич
Contributor
Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
-
Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Date
2012
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Сибирский физико-технический институт
|
Радиофизический факультет
|
Журналы ТГУ
Identifier
смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type
статьи в журналах
Source
Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8. С. 56-62
Language
rus
Created: 19-03-2013
3875 Visitors
3630 Hits
297 Downloads
Сибирский физико-технический институт
Радиофизический факультет
Журналы ТГУ
Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23)
^ DIV >