Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
светодиоды | 2014

Add to Quick Collection   All 12 Results

Showing items 1 - 12 of 12.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Comparative analysis of efficiency droop in InGaN/GaN lightemitting diodes for electrical and optical pumping conditions
Authors: Kopyev, V. V. | Prudaev, Ilya A. | Romanov, I. S.
Source: Journal of Physics: Conference Series. 2014. Vol. 541. P. 012055 (1-4)
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Анализ объектов интеллектуальной собственности как инструмент выявления прорывных технологий на примере рынка светотехники
Authors: Ваганова, Елена Владимировна
Source: Инноватика - 2014 : сборник материалов X Всероссийской школы-конференции студентов, аспирантов и молодых ученых с международным участием, 23–25 апреля 2014 г., г. Томск, Россия. Томск, 2015. С. 72-77
Type: статьи в сборниках
Date: 2014
Add   Влияние диффузии магния в активную область светодиодных структур с квантовыми ямами InGan/Gan на внутреннюю квантовую эффективность
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Романов, Иван Сергеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 4. С. 99-101
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 5. С. 85-88
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Изменение спектров диффузного отражения после облучения в вакууме ультрафиолетом и электронами покрытия на основе модифицированного наночастицами фотолюминофора для светодиодов видимого диапазона
Authors: Михайлов, Михаил Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 10. С. 133-134
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Исследование распределения электрического поля в светодиодах из AlGaInP методом зонда Кельвина
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Новиков, Вадим Александрович | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Олейник, Владимир Леонидович
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XIV Российской научной студенческой конференции, 13–15 мая 2014 г., Томск, Россия. Томск, 2014. С. 145-147
Type: статьи в сборниках
Date: 2014
Add   Люминесцентные свойства композиции люминофор AWB-3 - полиметакрилат для светодиодов белого свечения
Authors: Еремина, Нина Степановна | Мокроусов, Геннадий Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 7/2. С. 43-45
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Низкотемпературные вольт-амперные характеристики AlGaInP светодиодов
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Олейник, Владимир Леонидович
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XIV Российской научной студенческой конференции, 13–15 мая 2014 г., Томск, Россия. Томск, 2014. С. 142-144
Type: статьи в сборниках
Date: 2014
Add   Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Иван Сергеевич | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Олейник, Владимир Леонидович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 7. С. 48-51
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P
Authors: Олейник, Владимир Леонидович | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 7. С. 48-51
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Бактыбаев, Азамат Абдухашимулы | Романов, Иван Сергеевич | Зубрилкина, Юлия Леонидовна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 9. С. 88-89
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 11. С. 134-137
Type: статьи в журналах
Date: 2014
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »

Creator

Subject

Resource Type

^