Add to Quick Collection
All 68 Results
Showing items 1 - 15 of 68.
Add All Items to Quick Collection
Source: Письма в журнал технической физики. 2025. Т. 51, № 4. С. 23-26
Type: статьи в журналах
Date: 2025
Description:
Представлены результаты экспериментального исследования влияния температуры на напряжение переключения лавинного S-диода, изготовленного из GaAs с примесью железа. Установлено, что рост температуры мо
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2024. Т. 67, № 9. С. 5-19
Type: статьи в журналах
Date: 2024
Description:
Приведен обзор литературы по магнитным свойствам GaN, легированного марганцем. В обзоре использованы данные, опубликованные преимущественно за последнее десятилетие. Представлены данные по свойствам G
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2024. Т. 67, № 11. С. 74-83
Type: статьи в журналах
Date: 2024
Description:
Приведен обзор литературы по магнитным свойствам GaN, легированного железом, хромом и другими переходными элементами. По данным теоретических и экспериментальных исследований, GaN, легированный перехо
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2024. Т. 67, № 4. С. 59-72
Type: статьи в журналах
Date: 2024
Description:
Приведен обзор литературы по магнитным свойствам нитрида галлия, легированного редкоземельными элементами (РЗЭ). Рассмотрены свойства GaN, легированного РЗЭ в процессе роста слоев методом молекулярно-
... More
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 163-164
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 1. С. 56-66
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Представлен обзор литературы по магнитным свойствам арсенида галлия, легированного марганцем (GaMnAs), с включениями нанокластеров. Экспериментальные исследования однозначно показали, что GaMnAs с вкл
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 2. С. 14-22
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Представлен обзор работ по магнитным свойствам арсенида галлия, легированного марганцем (GaMnAs), с включениями нанокластеров. Экспериментальные исследования однозначно показали, что GaMnAs с включени
... More
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 159-160
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 181
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Type: монографии
Date: 2022
Description:
В монографии систематизированы наиболее важные, по нашему мнению, данные, касающиеся процесса диффузии в арсениде галлия собственных точечных дефектов, донорных, акцепторных примесей, примесей с глубо
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 6. С. 3-16
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Представлен обзор литературы по легированию AlN немагнитными примесями (элементами I, II, III и IV групп обеих подгрупп и редкоземельными элементами), придающими ему ферромагнитные свойства. Детально
... More
Source: Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55, № 8. С. 693-698
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Представлены результаты исследования транспорта носителей заряда в структурах из GaAs для детекторов ионизирующих излучений и сверхбыстрых фотоэлектрических переключателей, содержащих глубокие донорны
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 12. С. 160-165
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Проведено исследование образования дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs. Изучено образование дислокаций в диффузионных слоях GaAs, легированных разными примесями (элементами II, IV, VI групп
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 11. С. 162-172
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Представлен обзор литературы по электрическим и магнитным свойствам нитрида алюминия, легированного примесями переходных металлов группы железа. В обзоре использованы данные из открытых литературных и
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 2. С. 8-11
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description:
Представлены результаты исследования влияния толщины барьерных слоев GaN в активной области светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN на внутреннюю квантовую эффективность (Internal Quantum E
... More
