Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
статьи в журналах | адмиттанс

Add to Quick Collection   All 46 Results

Showing items 1 - 15 of 46.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Journal of communications technology and electronics. 2023. Vol. 68, № 3. P. 334-337
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: The study is devoted to an experimental analysis of the electrical and photoelectric characteristics of barrier photosensitive structures in the NBνN configuration based on n-HgCdTe. Seven different t ... More
Source: Applied nanoscience. 2022. Vol. 12, № 3. P. 403-409
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Mid- and long-wave infrared nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy (MBE) on GaAs (013) substrates were fabricated. For mid-wave nBn structures, the composition in the absorbing ... More
Source: Прикладная физика. 2022. № 4. С. 40-45
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Проведено исследование структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) на основе n-HgCdTe (КРТ), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в конфигурации NBvN, предназначенных для разраб ... More
Source: Прикладная физика. 2022. № 3. С. 37-42
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Проведено исследование электрофизических и фотоэлектических характеристик барьерных фоточувствительных структур в конфигурации NBvN на основе n-HgCdTe (КРТ). Исследовано семь различных типов фоточувст ... More
Source: Technical physics letters. 2021. Vol. 47, № 9. P. 629-632
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: The admittance of test MIS structures based on nBn systems from Hg1 – xCdxTe grown by molecular beam epitaxy is investigated. Composition x in the absorbing and contact layers is 0.29; in the barrier ... More
Source: Russian physics journal. 2021. Vol. 64, № 7. P. 1281-1288
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Experimental studies of the admittance of MIS structures based on pentacene with a two-layer insulator SiO2–Al2O3 and back contacts made of various materials (Au, Al, In, and Ag) have been carried out ... More
Source: Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 12. С. 34-37
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Исследован адмиттанс тестовых МДП-структур на основе nBn-систем из Hg1−xCdxTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Состав x в поглощающем и контактном слоях равен 0.29, а состав в барье ... More
Source: Journal of electronic materials. 2021. Vol. 50, № 4. P. 2323-2330
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: The effect of As+ ion implantation on the electrical properties of the near-surface layer of n-HgCdTe films grown by molecular beam epitaxy (MBE) on Si (310) substrates was experimentally studied. A s ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 7. С. 96-102
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: В широком диапазоне частот, температур и смещений проведены экспериментальные исследования адмиттанса МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2–Al2O3 и различными материалами дл ... More
Source: Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 4. С. 33-35
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Пленки n-Hg0.775Cd0.225Te с приповерхностными широкозонными слоями выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из Si (013). Для измерений адмиттанса структуры металл-диэлектрик-пол ... More
Source: Russian physics journal. 2020. Vol. 63, № 3. P. 432-445
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: The results of studying the admittance of unipolar barrier structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy (MBE) on GaAs (013) substrates are presented. Using passivation with an Al2O3 insu ... More
Source: Semiconductor science and technology. 2020. Vol. 35, № 5. P. 055026 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Metal-insulator-semiconductor (MIS) structures were fabricated by depositing an Al2O3 dielectric on
Source: Surface and coatings technology. 2020. Vol. 392. P. 125760 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Metal–insulator–semiconductor (MIS) structures based on HgCdTe were fabricated after various stages of pn
Source: Applied nanoscience. 2020. Vol. 10, № 8. P. 2489-2494
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Hg1−xCdxTe grown by molecular beam epitaxy including HgTe single quantum well (SQW) with thickness of 6.5 nm were

Date

^