Add to Quick Collection
All 10 Results
Showing items 1 - 10 of 10.
Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 5. С. 60-66
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Исследованы наногетероструктуры с множественными квантовыми ямами Ge0.84Si0.076Sn0.084/Ge/Si, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках, включая структуры с Ge квантовым
... More
Source: Труды Пятнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-19 мая 2018 г.. Томск, 2018. С. 213-215
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Source: Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51, вып. 2. С. 240-246
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
В работе исследованы зависимости квантового выхода от температуры и уровня возбуждения для светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN. Эксперимент проводился для двух режимов возбужден
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 11. С. 127-133
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Получены аналитические зависимости элементов эквивалентной схемы гетероструктуры от свойств материала квантовых ям, их местоположения и напряжения смещения гетероструктуры. На их основе получены выраж
... More
Source: Интерэкспо ГЕО-Сибирь-2015 : XI Международные научный конгресс и выставка. СибОптика-2015 : Международная научная конференция : сборник материалов : [в 3 т.]. Новосибирск, 2015. Т. 1. С. 184-188
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.. Томск, 2015. С. 26-27
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 5. С. 53-56
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Представлены результаты исследования температурной зависимости квантового выхода светодиодных
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 102-109
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Из рассмотрения физических процессов в гетероструктуре с квантовыми ямами (КЯ) оставлена ее эквивалентная схема, включающая барьерную емкость и дифференциальное сопротивление p–n-перехода, емкость и с
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 8. С. 70-72
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Description:
Из рассмотрения зарядовых свойств пары «квантовая яма – барьер», каждое вещество которой обладает пиро- или пьезополяризацией, получено выражение для расчета поляризационных коэффициентов (пирокоэффиц
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 11. С. 134-137
Type: статьи в журналах
Date: 2014