Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
"Социальная работа в изменяющейся России: проблемы, поиски, перспективы", всероссийская научно-практическая конференция (Томск.) | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Войцеховский, Александр Васильевич | МДП-структуры

Add to Quick Collection   All 10 Results

Showing items 1 - 10 of 10.
  • «
  • 1
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Прикладная физика. 2022. № 4. С. 40-45
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Проведено исследование структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) на основе n-HgCdTe (КРТ), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в конфигурации NBvN, предназначенных для разраб ... More
Source: XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022 г., Москва, Россия : тезисы докладов. М., 2022. С. 252-254
Type: статьи в сборниках
Date: 2022
Description: Работа посвящена исследованию характеристик структур МДП на основе МЛЭ N-HgCdTe в конфигурации nBνN методом спектроскопии адмиттанса
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 3-12
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе n ( p ) - Hg1-x Cd x Te (при x от 0.22 до 0.40) с диэлектриками SiO2/Si3N4, Al2O3 и CdTe/Al2O3 при температуре 77 К. Выращивание в процессе ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 202-205
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Использована специальная методика измерений электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe, позволяющая исключить влияние гистерезисных явлений на результаты измерения первой произв ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 3. С. 3-9
Type: статьи в журналах
Date: 2011
Description: Исследовано влияние областей с периодическими резкими неоднородностями по составу толщиной 48–54 нм на электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного n-Hg1–xCdxTe с x = 0,29–0,31, ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 2. С. 40-45
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe (x = 0,22–0,23 и 0,32–0,36) с выращенным in situ CdTe в качестве пассивирующего покрытия. Опре ... More
  • «
  • 1
  • »

Date

^