Add to Quick Collection
All 2 Results
Showing items 1 - 2 of 2.
Add All Items to Quick Collection
Source: Semiconductors. 2018. Vol. 52, № 2. P. 143-149
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description:
The effect of annealing in argon at temperatures of Tan = 700–900°C on the I–V characteristics of metal–Ga2O3–GaAs structures is investigated. Samples are prepared by the thermal deposition of Ga2O3 p
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 241-245
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Показано, что проводимость структур Ga2O3- п -GaAs при положительных потенциалах на затворе определяется термоэлектронной эмиссией из GaAs в Ga2O3. При отрицательных смещениях проводимость структур об
... More