Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
арсенид галлия

Add to Quick Collection   All 9 Results

Showing items 1 - 9 of 9.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Dzyadukh, Stanislav M. | Vasilev, Vladimir V. | Varavin, Vasilii S. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Yakushev, Maxim V. | Nesmelov, Sergey N.
Source: Infrared physics and technology. 2015. Vol. 71. P. 236-241
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Metal–insulator–semiconductor structures based on n-Hg1−xCdxTe (x = 0.19–0.25) were grown by molecular-beam epitaxy on the GaAs (0 1 3) substrates. Near-surface graded-gap layers with high CdTe conten ... More
Add   Вода с дезактивированным кислородом для промывки поверхности полупроводников AIIIBV после химического травления
Authors: Мокроусов, Геннадий Михайлович | Зарубина, Оксана Николаевна | Леоненко, Роман Олегович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 7/2. С. 96-101
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Влияние анодного окисла на концентрацию электронов в n-GaAs
Authors: Вишникина, Вера Валерьевна | Зарубин, Андрей Николаевич | Петрова, Юлианна Сергеевна | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Яскевич, Тамара Михайловна | Калыгина, Вера Михайловна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9. С. 11-16
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Газофазовая эпитаксия арсенида галлия
Authors: Лаврентьева, Людмила Германовна | Вилисова, Мария Дмитриевна | Ивонин, Иван Варфоломеевич
Source: Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 74-83
Type: статьи в журналах
Date: 2005
Add   Детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия
Authors: Толбанов, Олег Петрович
Source: Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 155-163
Type: статьи в журналах
Date: 2005
Add   Развитие физико-технологических основ создания полупроводниковых приборов
Authors: Вяткин, Анатолий Петрович | Вилисов, Анатолий Александрович
Source: Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 33-38
Type: статьи в журналах
Date: 2005
Add   Становление и развитие лаборатории физики полупроводников
Authors: Хлудков, Станислав Степанович
Source: Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 28-32
Type: статьи в журналах
Date: 2005
Add   Физико-химические аспекты электронного материаловедения
Authors: Мокроусов, Геннадий Михайлович
Source: Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 43-46
Type: статьи в журналах
Date: 2005
Add   Детекторы рентгеновского и γ-излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия
Authors: Айзенштат, Геннадий Исаакович | Гермогенов, Валерий Петрович | Гущин, Сергей Михайлович | Толбанов, Олег Петрович | Шмаков, Олег Геннадьевич
Source: Вестник Томского государственного университета. 2003. № 278. С. 81-86
Type: статьи в журналах
Date: 2003
Description: В статье обобщаются результаты работы по созданию полупроводниковых структур для детекторов рентгеновских и γ-излучений на основе компенсированных хромом эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращива ... More
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »

Creator

Date

Subject

^