Влияние анодного окисла на концентрацию электронов в n-GaAs

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Влияние анодного окисла на концентрацию электронов в n-GaAs	426 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Влияние анодного окисла на концентрацию электронов в n-GaAs
Creator: Вишникина, Вера Валерьевна
|
Зарубин, Андрей Николаевич
|
Петрова, Юлианна Сергеевна
|
Скакунов, Максим Сергеевич
|
Толбанов, Олег Петрович
|
Тяжев, Антон Владимирович
|
Яскевич, Тамара Михайловна
|
Калыгина, Вера Михайловна
Contributor: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники
-: Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ
-: Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ
-: Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Date: 2013

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Сибирский физико-технический институт | Радиофизический факультет | Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9. С. 11-16
Language: rus

Created: 19-02-2014

4246 Visitors

4020 Hits

447 Downloads

Журналы ТГУ Влияние анодного окисла на концентрацию электронов в n-GaAs