Add to Quick Collection
All 6 Results
Showing items 1 - 6 of 6.
Add All Items to Quick Collection
Source: Journal of electronic materials. 2021. Vol. 50, № 4. P. 2323-2330
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
The effect of As+ ion implantation on the electrical properties of the near-surface layer of n-HgCdTe films grown by molecular beam epitaxy (MBE) on Si (310) substrates was experimentally studied. A s
... More
Source: Technical physics letters. 2021. Vol. 47, № 2. P. 189-192
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Source: Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 4. С. 33-35
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Пленки n-Hg0.775Cd0.225Te с приповерхностными широкозонными слоями выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из Si (013). Для измерений адмиттанса структуры металл-диэлектрик-пол
... More
Authors:
Voytsekhovskiy, Alexander V. |
Izhnin, Igor I. |
Mynbaev, Karim D. |
Nesmelov, Sergey N. |
Dzyadukh, Stanislav M. |
Varavin, Vasilii S. |
Dvoretsky, Sergei A. |
Mikhailov, Nikolay N. |
Yakushev, Maxim V. |
Korotaev, A. G. |
Sidorov, Georgiy Yu.
Source: Surface and coatings technology. 2020. Vol. 392. P. 125760 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Metal–insulator–semiconductor (MIS) structures based on HgCdTe were fabricated after various stages of pn
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 85-88
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 136-137
Type: статьи в журналах
Date: 2012