Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
2021 | статьи в журналах

Add to Quick Collection   All 15 Results

Showing items 1 - 15 of 15.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   An experimental study of the dynamic resistance in surface leakage limited nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Sidorov, Georgiy Yu. | Yakushev, Maxim V.
Source: Journal of electronic materials. 2021. Vol. 50, № 8. P. 4599-4605
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Mid-wave infrared nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy on GaAs (013) substrates were fabricated. The composition in the absorbing layer was 0.29, and in the barrier layer it ... More
Add   Analysis of carrier species in arsenic-implanted p- and n-type Hg0.7Cd0.3Te
Authors: Izhnin, Igor I. | Mynbaev, Karim D. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Korotaev, Alexander G. | Varavin, Vasilii S. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Yakushev, Maxim V. | Fitsych, Olena I. | Świątek, Zbigniew
Source: Infrared physics and technology. 2021. Vol. 114. P. 103665 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Carrier species in arsenic-implanted p– and n–type Hg0.7Cd0.3Te films grown by molecular-beam epitaxy were investigated with the use of the Hall-effect studies and mobility spectrum analysis. The impl ... More
Add   Dark currents of unipolar barrier structures based on mercury cadmium telluride for long-wave IR detectors
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Sidorov, Georgiy Yu. | Yakushev, Maxim V.
Source: Russian physics journal. 2021. Vol. 64, № 5. P. 763-769
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Two types of long-wave infrared nBn-structures based on mercury cadmium telluride grown by molecular beam epitaxy on GaAs (013) substrates have been fabricated. For each type of device, the side walls ... More
Add   Influence of As+ Ion implantation on properties of MBE HgCdTe near-surface layer characterized by metal–insulator–semiconductor techniques
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Varavin, Vasilii S. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Sidorov, Georgiy Yu. | Yakushev, Maxim V. | Marin, Denis V.
Source: Journal of electronic materials. 2021. Vol. 50, № 4. P. 2323-2330
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: The effect of As+ ion implantation on the electrical properties of the near-surface layer of n-HgCdTe films grown by molecular beam epitaxy (MBE) on Si (310) substrates was experimentally studied. A s ... More
Add   Investigation of the differential resistance of MIS structures based on n-Hg0.78Cd0.22Te with near-surface graded-gap layers
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Kulchitskii, N. A. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Varavin, Vasilii S. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Yakushev, Maxim V. | Sidorov, Georgiy Yu.
Source: Journal of communications technology and electronics. 2021. Vol. 66, № 3. P. 337-339
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: The admittance of MIS structures based on n(p)-Hg1–xCdxTe (x = 0.21–0.23) grown by molecular-beam epitaxy on Si and GaAs substrates is studied. The possibility of increasing the value of the product o ... More
Add   Microstructure and properties of a silicon coating deposited on a titanium nickelide substrate using molecular-beam epitaxy equipment
Authors: Krukovskii, K. V. | Kashin, Oleg A. | Luchin, A. V. | Kokhanenko, Andrey P. | Dirko, Vladimir V. | Lozovoy, Kirill A. | Kashina, O. N. | Bobrov, D. I.
Source: Journal of Physics: Conference Series. 2021. Vol. 1954. P. 012024 (1-4)
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: The microstructure and properties of a silicon coating on a titanium nickelide substrate were studied to assess the possibility of using such a coating to improve the biocompatibility of medical impla ... More
Add   On the kinetics of the early stage of growth of III-V nanowires
Authors: Hervieu, Yurij Yurevich
Source: Journal of crystal growth. 2021. Vol. 568/569. P. 126187 (1-9)
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: The Au-assisted III-V nanowire growth is often preceded by the formation of pyramid-like pedestals under catalyst droplets during pre-growth annealing. In the present paper, we propose a kinetic step- ... More
Add   The effect of As+ Ion implantation and annealing on the electrical properties of near-surface layers in graded-gap n-Hg0.78Cd0.22Te films
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Varavin, Vasilii S. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Sidorov, Georgiy Yu. | Yakushev, Maxim V. | Marin, Denis V.
Source: Technical physics letters. 2021. Vol. 47, № 2. P. 189-192
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Add   Unipolar semiconductor barrier structures for infrared photodetector arrays (Review)
Authors: Burlakov, I. D. | Kulchitskii, N. A. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Gorn, Dmitriy Igorevich
Source: Journal of communications technology and electronics. 2021. Vol. 66, № 9. P. 1084-1091
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: We analyze the current state of research in the field of creating unipolar semiconductor barrier structures based on various materials for infrared photodetector arrays, which make it possible to redu ... More
Add   Urbach tail and nonuniformity probe of HgCdTe thin films and quantum well heterostructures grown by molecular beam epitaxy
Authors: Rumyantsev, Vladimir V. | Razova, Anna A. | Fadeev, Mikhail A. | Utochkin, Vladimir V. | Mikhailov, Nikolay N. | Dvoretsky, Sergei A. | Gavrilenko, Vladimir I. | Morozov, Sergey V.
Source: Optical engineering. 2021. Vol. 60, № 8. 082007-1-082007-9
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Temperature-driven photoconductivity spectra are studied in HgCdTe thin films and quantum well (QW) heterostructures grown by molecular beam epitaxy (MBE). It is shown that the absorption edge steepne ... More
Add   Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич | Марин, Денис Викторович
Source: Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 4. С. 33-35
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Пленки n-Hg0.775Cd0.225Te с приповерхностными широкозонными слоями выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из Si (013). Для измерений адмиттанса структуры металл-диэлектрик-пол ... More
Add   Двумерные материалы на основе элементов группы IVA: последние достижения в эпитаксиальных методах синтеза
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Дирко, Владимир Владиславович | Винарский, Владимир Петрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Акименко, Наталья Юрьевна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 9. С. 3-10
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Двумерные материалы стали одной из центральных тем исследования ученых по всему миру после получения графена – моноатомного слоя углерода. В настоящее время двумерные кристаллы рассматриваются в качес ... More
Add   Люминесценция нанокристаллического Si в структурах (Si+CaF2)/CaF2 в видимом диапазоне спектра
Authors: Величко, Александр Андреевич | Илюшин, Владимир Александрович | Крупин, Алексей Юрьевич | Филимонова, Нина Ивановна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 2. С. 10-14
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Продемонстрирована фотолюминесценция нанокристаллов Si, встроенных в диэлектрическую матрицу CaF2 в структурах (Si+CaF2)/CaF2/Si(111). Люминесценция наблюдалась при комнатной температуре в видимом диа ... More
Add   Структурные и оптические свойства гибридного материала на основе оксидов олова и многослойных периодических структур с псевдоморфными слоями GeSiSn
Authors: Тимофеев, Вячеслав Алексеевич | Машанов, Владимир Иванович | Никифоров, Александр Иванович | Лошкарев, Иван Дмитриевич | Скворцов, Илья Владимирович | Гуляев, Дмитрий Владимирович | Корольков, Илья Викторович | Коляда, Дмитрий Владимирович | Фирсов, Дмитрий Дмитриевич | Комков, Олег Сергеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 8. С. 115-121
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Впервые получен гибридный материал, который включает оксиды олова поверх структуры с множественными квантовыми ямами Ge0.3Si0.7–ySny/Si. Оксиды олова, такие, как SnO и SnO2, формировались в результате ... More
Add   Темновые токи униполярных барьерных структур на основе теллурида кадмия и ртути для длинноволновых инфракрасных детекторов
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 5. С. 3-8
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Изготовлены два вида длинноволновых nBn-структур на основе теллурида кадмия и ртути, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs(013). Для каждого вида приборов боковые стен ... More
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
^