Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
2015

Add to Quick Collection   All 17 Results

Showing items 1 - 15 of 17.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Generalized Muller-Kern formula for equilibrium thickness of a wetting layer with respect to the dependence of the surface energy of island facets on the thickness of the 2D layer
Authors: Lozovoy, Kirill A. | Kokhanenko, Andrey P. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Physical chemistry chemical physics. 2015. Vol. 17, № 44. P. 30052-30056
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Experimental results indicate a particular importance of such a value as the equilibrium thickness of the wetting layer during epitaxial growth according to the Stranski–Krastanow mechanism in systems ... More
Add   Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy
Authors: Satdarov, Vadim G. | Kokhanenko, Andrey P. | Lozovoy, Kirill A. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: International Journal of Nanotechnology. 2015. Vol. 12, № 3/4. P. 285-296
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Localization of electrons in dome-shaped GeSi/Si islands
Authors: Yakimov, A. I. | Bloshkin, A. A. | Armbrister, V. A. | Kuchinskaya, P. A. | Dvurechenskii, A. V. | Kirienko, V. V.
Source: Applied physics letters. 2015. Vol. 106, № 3. P. 032104-1-032104-4
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: We report on intraband photocurrent spectroscopy of dome-shaped GeSi islands embedded in a Si matrix with n+-type bottom and top Si layers. An in-plane polarized photoresponse in the 85–160 meV energy ... More
Add   Phonon bottleneck in p-type Ge/Si quantum dots
Authors: Yakimov, A. I. | Armbrister, V. A. | Dvurechenskii, A. V. | Kirienko, V. V.
Source: Applied physics letters. 2015. Vol. 107, № 21. P. 213502-1-213502-4
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: We study the effect of quantum dot size on the mid-infrared photo- and dark current, photoconductive gain, and hole capture probability in ten-period p-type Ge/Si quantum dot heterostructures. The dot ... More
Add   Photodetectors and solar cells with GeSi quantum dots parameters dependence on growth conditions
Authors: Lozovoy, Kirill A. | Kokhanenko, Andrey P. | Satdarov, Vadim G. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: International Journal of Nanotechnology. 2015. Vol. 12, № 3/4. P. 209-217
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Strain-induced localization of electrons in layers of the second-type Ge/Si quantum dots
Authors: Yakimov, A. I. | Bloshkin, A. A. | Armbrister, V. A. | Dvurechenskii, A. V. | Kirienko, V. V.
Source: Journal of experimental and theoretical physics letters. 2015. Vol. 101, № 11. P. 750-753
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Electronic states in multilayer Ge/Si heterostructures with different periods of the arrangement of layers of Ge quantum dots have been studied by the photocurrent spectroscopy method. It has been fou ... More
Add   Suppression of hole relaxation in small sized Ge/Si quantum dots
Authors: Yakimov, A. I. | Bloshkin, A. A. | Armbrister, V. A. | Dvurechenskii, A. V. | Kirienko, V. V.
Source: Journal of experimental and theoretical physics letters. 2015. Vol. 102, № 9. P. 594-598
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: We study the effect of quantum dot size on the mid-infrared photocurrent, photoconductive gain, and hole capture probability in ten-period p-type Ge/Si quantum dot heterostructures. The dot dimensions ... More
Add   Surface structure of thin pseudomorphous GeSi layers
Authors: Nikiforov, Alexander I. | Timofeev, V. F. | Pchelyakov, Oleg P.
Source: Applied surface science. 2015. Vol. 354, Part B. P. 450-452
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Reflection high-energy electron diffraction (RHEED) was used to study the evolution of thin GexSi1−x film surface superstructures s in the course of molecular beam epitaxy. The (2 × N) superstructure ... More
Add   Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctions
Authors: Timofeev, V. A. | Nikiforov, Alexander I. | Mashanov, V. I. | Tuktamyshev, A. R. | Loshkarev, I. D. | Kokhanenko, Andrey P.
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 58, № 7. P. 965-969
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Results of investigations into the synthesis of heterostructures based on Ge–Si–Sn materials by the method of low-temperature molecular beam epitaxy are presented. The formation of epitaxial films dur ... More
Add   Влияние удельной энергии ребер на параметры массива квантовых точек германия на кремнии
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Пищагин, Антон Александрович
Source: Материалы 53-й Международной научной студенческой конференции МНСК-2015, 11-17 апреля 2015 г. Квантовая физика. Новосибирск, 2015. С. 33
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Исследование Si/Ge p-i-n структур с квантовыми точками Ge методом адмиттансной спектроскопии
Authors: Пищагин, Антон Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Никифоров, Александр Иванович | Лозовой, Кирилл Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 241-243
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 231-234
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В работе описывается кинетическая модель роста квантовых точек германия на кремнии по механизму Странского–Крастанова, учитывающая зависимость удельной поверхностной энергии граней пирамиды от толщины ... More
Add   Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук) | Несмелов, Сергей Николаевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Сатдаров, Вадим Газизович | Кульчицкий, Николай Александрович
Source: Нано- и микросистемная техника. 2015. № 3. С. 31-41
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Представлен анализ научно-технической литературы по оптическим и фотоэлектрическим свойствам наногетероструктур Ge/Si. Описаны особенности полупроводниковых структур с наноразмерными включениями, их о ... More
Add   Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 227-230
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Никифоров, Александр Иванович | Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович
Source: Интерэкспо ГЕО-Сибирь-2015 : XI Международные научный конгресс и выставка. СибОптика-2015 : Международная научная конференция : сборник материалов : [в 3 т.]. Новосибирск, 2015. Т. 1. С. 201-205
Type: статьи в сборниках
Date: 2015

Creator

Subject

Resource Type

^