Add to Quick Collection
All 3 Results
Showing items 1 - 3 of 3.
Add All Items to Quick Collection
Source: 2020 21st International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM). [S. l.], 2020. С. 59-63
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Description:
In the paper, the results of research of the electrophysical and frequency characteristics of semiconductor structure with a Schottky barrier based on n- GaAs are presented. Current-voltage characteri
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 128-131
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Представлен детальный анализ температурных зависимостей вольт-амперных характеристик (ВАХ) сенсоров на основе арсенида галлия, компенсированного хромом (GaAs:Cr). На поверхности GaAs:Cr методом электр
... More
Source: Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 164-171
Type: статьи в журналах
Date: 2005