Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
радиационные дефекты

Add to Quick Collection   All 28 Results

Showing items 1 - 15 of 28.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Crystals. 2023. Vol. 13, № 11. P. 1562 (1-18)
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Optical absorption spectra of 9 MeV electron-irradiated GaSe crystals were studied. Two absorption bands with the low-photon-energy threshold at 1.35 and 1.73 eV (T = 300 K) appeared in the transparen ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 12. С. 37-51
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Проанализированы теоретические и экспериментальные данные, определяющие сходство и различие процессов дефектообразования при нейтронном и имитационном ионном облучении. Анализируется роль таких фактор ... More
Source: Прикладная физика. 2018. № 4. С. 61-67
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Представлены расчеты нагрева кристалла CdxHg1-xTe (КРТ) с x = 0,22 в процессе ионнолучевого травления (ИЛТ) низкоэнергетическими ионами Ar+. Показано, что при хорошем тепловом контакте кристалла и охл ... More
Source: International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON–2015), Russia, Omsk, may 21-23, 2015 : proceedings. Omsk, 2015. P. [1-3]
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 12. С. 3-14
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Description: Представлены результаты исследований электрофизических свойств гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1–xTe p- и n-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии после воздействия мощно ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 10. С. 92-97
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Проведены комплексные исследования дефектной структуры имплантированных ионами мышьяка (с энергией 190 кэВ) пленок Cd x Hg1- x Te ( x = 0.22), выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Исследования п ... More
Source: Прикладная физика. 2018. № 4. С. 54-60
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур, полученных на основе эпитаксиальных слоев n-Cd0,24Hg0,76Te, подвергнутых воздействию мягкого рентгеновского излучения. Показано, что в результат ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2007. Т. 50, № 8. С. 12-15
Type: статьи в журналах
Date: 2007
Source: Materials research express. 2019. Vol. 6, № 7. P. 075912 (1-8)
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: In this paper experimental results of research of boron ion implantation into Hg1−x Cd x Te epitaxial films of various compositions x are presented. Samples of epitaxial films were grown by the method ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 10. С. 125-130
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Детально исследованы динамические процессы в наноструктурированном материале Si(Fe): температурный разогрев, формирование термоупругих напряжений, генерация упругих возмущений среды, аналогичных слабы ... More

Date

^