Add to Quick Collection
All 57 Results
Showing items 46 - 57 of 57.
Add All Items to Quick Collection
Source: Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49, вып. 10. С. 1351-1354
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Russian physics journal. 2021. Vol. 63, № 9. P. 1504-1509
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
GaSe and InSe nanolayers were obtained by mechanical exfoliation and physical vapor deposition methods on silicon substrates. Employing atomic force microscopy the surface morphology and thickness of
... More
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 184-186
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Труды XIII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-18 мая 2016 г.. Томск, 2016. С. 27-29
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Effect of external influences on the strength and plasticity of metals and alloys : book of the International workshop articles, Russia-China, 15-20 September, 2015 [Barnaul-Belokurikha]. Barnaul, 2015. P. 175-176
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Source: Optics express. 2015. Vol. 23, № 25. P. 32820-32834
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
High optical quality nonlinear crystals of solid solution GaSe1−xSx, x=0, 0.05, 0.11, 0.22, 0.29, 0.44, 1 were grown by modified Bridgman method with heat field rotation. Ordinary and extraordinary wa
... More
Source: Journal of optics. 2017. Vol. 19, № 11. P. 115503 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Terahertz wave generation through optical rectification of femtosecond laser pulses and its detection in GaSe and GaSe1−x S x crystals with a relatively low (x = 0.04) and high (x = 0.29) content of s
... More
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 181-183
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы : труды 18-й Международной конференции. Ульяновск, 2015. С. 99
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 58, № 8. P. 1181-1185
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Thin amorphous SiO2, TiO2, and Ga2O3 films were deposited on the surface of GaSe crystals by thermal and magnetron sputtering. It was found that under different technological conditions, the SiO2 and
... More
Source: Semiconductors. 2015. Vol. 49, № 10. P. 1307-1310
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
The height of the (Au, Pd, Pt, Cu, Ag, Sn, In, Al, Mg, Ca, Li, Cs)/GaSe(0001) Schottky barrier as a function of the metal work function and the energy-band offsets in InSe(0001)/GaSe(0001) and GaSe(00
... More
Authors:
Zhu, Wei-Zhen A. |
Luo, Zhi- Wei |
Andreev, Yury M. |
Lanskii, Grigory V. |
Shaiduko, Anna V. |
Izaak, Tatyana I. |
Svetlichnyi, Valerii A. |
Vaytulevich, Elena A. |
Zuev, Vladimir V. |
Gu, Xin-An
Source: Chinese optics. 2011. Vol. 4, № 6. P. 660-666
Type: статьи в журналах
Date: 2011