Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
статьи в журналах | Войцеховский, Александр Васильевич

Add to Quick Collection   All 133 Results

Showing items 1 - 15 of 133.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 20-27
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Проводится сравнительный анализ особенностей выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии квантовых точек германия на поверхности кремния с различной кристаллографической ориентацией: Si(100) и S ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 8. С. 80-90
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Открытие и экспериментальное получение графена привлекло значительное внимание к изучению других новых одноэлементных двумерных материалов (трансграфенов) групп IIIA–VIA периодической системы. В данно ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 10. С. 44-53
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Определены оптимальные параметры фоточувствительной униполярной барьерной структуры, которая обладает фоточувствительностью в диапазоне 1−3 мкм, посредством расчета зависимостей максимальной обнаружит ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 7. С. 41-50
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Рассмотрены двумерные аллотропные модификации одиночных элементов III группы: борофена (B), алюминена (Al), галленена (Ga), индиена (In) и таллена (Tl). Акцент сделан на их структурные параметры и тех ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 9. С. 5-16
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Представлены описание методики и результаты моделирования энергетической диаграммы, а также электрофизических и фотоэлектрических характеристик униполярных барьерных структур на основе гетероэпитаксиа ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 6. С. 8-15
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Изготовлены три вида nBn -структур на основе теллурида кадмия - ртути, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В качестве барьерных слоев в nBn -структурах использовался Hg1-x Cd x Te при x ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 11. С. 162-169
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Для режимов обеднения и обогащения предложены эквивалентные схемы МДП-структуры на основе органической тонкой пленки (P3HT) с диэлектриком Al2O3. Проведено моделирование частотных зависимостей емкости ... More
Source: Прикладная физика. 2018. № 4. С. 61-67
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Представлены расчеты нагрева кристалла CdxHg1-xTe (КРТ) с x = 0,22 в процессе ионнолучевого травления (ИЛТ) низкоэнергетическими ионами Ar+. Показано, что при хорошем тепловом контакте кристалла и охл ... More
Source: Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 4. С. 33-35
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Пленки n-Hg0.775Cd0.225Te с приповерхностными широкозонными слоями выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из Si (013). Для измерений адмиттанса структуры металл-диэлектрик-пол ... More

Date

^