Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
статьи в журналах | гетероструктуры

Add to Quick Collection   All 54 Results

Showing items 46 - 54 of 54.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   От сплавных контактов к эпитаксиальным гетероструктурам
Authors: Гермогенов, Валерий Петрович
Source: Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 103-111
Type: статьи в журналах
Date: 2005
Add   Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates
Authors: Romanov, I. S. | Brudnyi, Valentin N. | Kopyev, V. V. | Novikov, Vadim A. | Marmalyuk, A. A. | Kureshov, V. A. | Sabitov, D. R. | Mazalov, A. V. | Prudaev, Ilya A.
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 57, № 11. P. 1604-1608
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The results of studies of blue LED InGaN/GaN heterostructures with a short-period InGaN/GaN superlattice in front of an active region of the structure grown on flat and patterned Al2O3 substrates are ... More
Add   Quantum anomalous Hall conductivity in 3D magnetic topological insulator/normal insulator heterostructures
Authors: Menshov, V. N. | Shvets, I. A. | Chulkov, Evgueni V. | Tugushev, V. V.
Source: Journal of magnetism and magnetic materials. 2018. Vol. 459. P. 335-339
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Today, searching for materials hosting quantum anomalous Hall effect (QAHE) at high temperature and with long conductivity plateau is an important issue for next generation spintronic applications at ... More
Add   Nanostructures with Ge-Si quantum dots for infrared photodetectors
Authors: Fitsych, Olena I. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Kokhanenko, Andrey P. | Lozovoy, Kirill A. | Dirko, V. V. | Izhnin, Igor I.
Source: Opto-electronics review. 2018. Vol. 26, № 3. P. 195-200
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: In this paper questions of optimization of growth conditions in the method of molecular beam epitaxy for creation of high-efficient quantum dot infrared photodetectors are considered. As a model mater ... More
Add   Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Копьев, Виктор Васильевич | Ширапов, Сергей Баирович | Толбанов, Олег Петрович | Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 30-32
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Оптимизация технологических параметров роста пленок GaN:Mg
Authors: Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Мазалов, Александр Владимирович | Сабитов, Дамир Равильевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Романов, Иван Сергеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 58-59
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Electron irradiation degradation of AlGaInP/GaAs light‐emitting diodes
Authors: Brudnyi, Valentin N. | Oleinik, Vladimir | Marmaluk, Alexander A. | Prudaev, Ilya A.
Source: Physica status solidi A : applications and materials science. 2018. Vol. 215, № 8. P. 1700445 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Red and yellow AlGaInP/GaAs light‐emitting diodes (LEDs) with multiple quantum wells grown by the metalorganic chemical vapor deposition technique were irradiated at room temperature by 10 MeV electro ... More
Add   Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN
Authors: Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Мазалов, Александр Владимирович | Сабитов, Дамир Равильевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Романов, Иван Сергеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 56-57
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Interface induced quantized spin Hall response in three-dimensional topological insulator/normal insulator heterostructures
Authors: Shvets, I. A. | Tugushev, V. V. | Chulkov, Evgueni V. | Menshov, V. N.
Source: Journal of magnetism and magnetic materials. 2018. Vol. 459. P. 231-235
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: We report analytic investigation of the electronic properties of heterostructures comprised by films of three-dimensional topological insulator (TI) and normal insulator (NI) revealing strong interfac ... More

Creator

Date

Subject

^