Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN	381 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN
Creator: Мармалюк, Александр Анатольевич
|
Курешов, Владимир Александрович
|
Мазалов, Александр Владимирович
|
Сабитов, Дамир Равильевич
|
Войцеховский, Александр Васильевич
|
Коханенко, Андрей Павлович
|
Романов, Иван Сергеевич
Contributor: Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ
-: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
Date: 2012

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет | Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 56-57
Language: rus

Created: 18-02-2013

1876 Visitors

1546 Hits

345 Downloads

Журналы ТГУ Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN