Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич | Лозовой, Кирилл Александрович

Add to Quick Collection   All 39 Results

Showing items 16 - 30 of 39.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук) | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Сатдаров, Вадим Газизович | Кульчицкий, Николай Александрович
Source: Нано- и микросистемная техника. 2015. № 2. С. 9-20
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Лозовой, Кирилл Александрович | Турапин, Алексей Михайлович | Романов, Иван Сергеевич | Коханенко, Андрей Павлович
Source: Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 3. С. 338-343
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Многослойные униполярные системы на основе HgCdTe для инфракрасного детектирования
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Каширский, Данила Евгеньевич | Горн, Дмитрий Игоревич | Лозовой, Кирилл Александрович | Дирко, Владимир Владиславович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам, 18-22 мая 2020 г., Москва, ИМЕТ РАН : сборник материалов. С. 111-112
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Add   Эпитаксиальное выращивание двумерных материалов по механизму Франка-Ван дер Мерве
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Винарский, Владимир Петрович | Дирко, Владимир Владиславович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам, 18-22 мая 2020 г., Москва, ИМЕТ РАН : сборник материалов. М., 2020. С. 110-111
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Add   Моделирование особенностей эпитаксиального формирования 2D- и 3D-островков с учетом изменения физических параметров двумерных пленок с толщиной
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Дирко, Владимир Владиславович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2021. С. 64
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description: В данной работе рассматривается эпитаксиальное выращивание напряженных двумерных слоев германия и твердого раствора германия-кремния различного состава, а также особенности формирования квантовых точе ... More
Add   Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 55, № 9/2. С. 17-20
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук) | Несмелов, Сергей Николаевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Сатдаров, Вадим Газизович | Кульчицкий, Николай Александрович
Source: Нано- и микросистемная техника. 2015. № 3. С. 31-41
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Представлен анализ научно-технической литературы по оптическим и фотоэлектрическим свойствам наногетероструктур Ge/Si. Описаны особенности полупроводниковых структур с наноразмерными включениями, их о ... More
Add   Особенности создания кремний-германиевых наноструктур с квантовыми точками для перспективных приборов микро- и оптоэлектроники
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук) | Несмелов, Сергей Николаевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Кульчицкий, Николай Александрович
Source: Наноинженерия. 2014. № 6. С. 3-20
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов
Authors: Дирко, Владимир Владиславович | Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2021. С. 243
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Add   Альтернативные технологии создания структур с квантовыми точками Ge/Si
Authors: Кульчицкий, Николай Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук)
Source: Вакуумная техника, материалы и технология : материалы X международной научно-технической конференции (Москва, КВЦ "Сокольники", 2015, 14-16 апреля). М., 2015. С. 243-248
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Анализ возможности создания фоточувствительных Si/Ge-наногетероструктур для оптических систем передачи информации
Authors: Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Сатдаров, Вадим Газизович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 240-241
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Исследование Si/Ge p-i-n структур с квантовыми точками Ge методом адмиттансной спектроскопии
Authors: Пищагин, Антон Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Никифоров, Александр Иванович | Лозовой, Кирилл Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 241-243
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Кинетические модели роста наноструктур по механизмам Франка-ван дер Мерве, Фольмера-Вебера и Странского-Крастанова
Authors: Коханенко, Андрей Павлович | Дирко, Владимир Владиславович | Войцеховский, Александр Васильевич | Лозовой, Кирилл Александрович
Source: XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. М., 2019. Ч. 1. С. 111
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Add   Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова
Authors: Кульчицкий, Николай Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук)
Source: Х Международная научно-техническая конференция "Вакуумная техника, материалы и технология" (Москва, КВЦ "Сокольники", 2015, 14-16 апреля). М., 2015. С. 238-242
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Управление параметрами массива квантовых точек Ge на поверхности Si в процессе роста
Authors: Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Турапин, Алексей Михайлович | Сатдаров, Вадим Газизович | Пищагин, Антон Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 232-233
Type: статьи в журналах
Date: 2012

Creator

Date

Subject

Resource Type

^