Add to Quick Collection
All 16 Results
Showing items 1 - 15 of 16.
Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 257-261
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
В работе приводятся результаты исследований полной проводимости МДП-структур на основе гетероэпи-таксиального МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с диэлектрическими покрытиями SiO2-Si3N4 и Al2O3 в диапазоне часто
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 235-238
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
В работе приводятся результаты исследований свойств быстрых поверхностных состояний на границе раз-дела диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытия-м
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 2. С. 40-45
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description:
Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe (x = 0,22–0,23 и 0,32–0,36) с выращенным in situ CdTe в качестве пассивирующего покрытия. Опре
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 8. С. 59-69
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 6. С. 3-11
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 5. С. 62-69
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 4. С. 97-106
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Проведены исследования вольт-фарадных характеристик (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного МЛЭ Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.23) с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4 при изменении направл
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 269-272
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
В работе приводятся результаты исследований адмиттанса МДП-структур на основе n(p)-HgCdTe, выра-щенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на различных альтернативных подложках (GaAs и Si). Прове-д
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 95-97
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 128-130
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Authors:
Войцеховский, Александр Васильевич |
Дзядух, Станислав Михайлович |
Васильев, Владимир Васильевич (физик) |
Варавин, Василий Семенович |
Дворецкий, Сергей Алексеевич |
Михайлов, Николай Николаевич (физик) |
Кузьмин, Валерий Давыдович |
Ремесник, Владимир Григорьевич |
Сидоров, Юрий Георгиевич |
Несмелов, Сергей Николаевич
Source: Прикладная физика. 2014. № 4. С. 56-61
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 150-151
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Authors:
Войцеховский, Александр Васильевич |
Дзядух, Станислав Михайлович |
Васильев, Владимир Васильевич (физик) |
Варавин, Василий Семенович |
Дворецкий, Сергей Алексеевич |
Михайлов, Николай Николаевич (физик) |
Кузьмин, Валерий Давыдович |
Ремесник, Владимир Григорьевич |
Сидоров, Юрий Георгиевич |
Несмелов, Сергей Николаевич
Source: Прикладная физика. 2014. № 4. С. 62-67
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 5. С. 611-616
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 69-70
Type: статьи в журналах
Date: 2012