Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии	656 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

#МДП-структуры

#молекулярно-лучевая эпитаксия

#теллурид кадмия ртути

#варизонные слои

Title: Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Creator: Войцеховский, Александр Васильевич
|
Несмелов, Сергей Николаевич
|
Дзядух, Станислав Михайлович
Date: 2015
Description: В работе приводятся результаты исследований свойств быстрых поверхностных состояний на границе раз-дела диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытия-ми SiO2/Si3N4 и Al2O3. Рассмотрены особенности определения параметров поверхностных состояний для струк-тур на основе Hg1-xCdxTe с приповерхностным варизонным слоем.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет | Сибирский физико-технический институт | Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 235-238
Language: rus

Created: 19-09-2016

1879 Visitors

1595 Hits

301 Downloads

Сибирский физико-технический институт

Радиофизический факультет

Журналы ТГУ Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии