Add to Quick Collection
All 31 Results
Showing items 1 - 15 of 31.
Add All Items to Quick Collection
Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 2 : Стендовые доклады. С. 398-401
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 2 : Стендовые доклады. С. 401-405
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 7. С. 53-58
Type: статьи в журналах
Date: 2011
Description:
Рассмотрено влияние на эффективную скорость поверхностной рекомбинации в гетероструктурах на основе соединения кадмий – ртуть – теллур p-типа проводимости варизонной приграничной области с линейным из
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 257-261
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
В работе приводятся результаты исследований полной проводимости МДП-структур на основе гетероэпи-таксиального МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с диэлектрическими покрытиями SiO2-Si3N4 и Al2O3 в диапазоне часто
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 235-238
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
В работе приводятся результаты исследований свойств быстрых поверхностных состояний на границе раз-дела диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытия-м
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 2. С. 40-45
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description:
Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe (x = 0,22–0,23 и 0,32–0,36) с выращенным in situ CdTe в качестве пассивирующего покрытия. Опре
... More
Source: Успехи прикладной физики. 2017. Т. 5, № 1. С. 54-62
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ p-HgCdTe ( x = 0,22-0,23) в широком диапазоне частот и температур. Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 2. С. 105-114
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description:
Исследованы особенности определения концентрации и профиля распределения легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника при помощи измерения адмиттанса МДП-структур на основе p-Hg₀.₇₈Cd₀.₂₂
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 8. С. 59-69
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 6. С. 3-11
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 5. С. 62-69
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 12. С. 3-8
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Изучена фотопроводимость в магнитном поле для геометрии Фарадея на пленках кадмий – ртуть – теллур р-типа, выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках кадмий – цинк – теллур. Из магнитополев
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 198-201
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Определены значения концентраций основных носителей заряда в приповерхностных варизонных слоях полупроводника из измерений адмиттанса МДП-структур на основе n ( p )-HgCdTe, выращенного методом молекул
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 4. С. 97-106
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Проведены исследования вольт-фарадных характеристик (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного МЛЭ Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.23) с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4 при изменении направл
... More
Source: Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19, № 1. С. 3-20
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Рассмотрены возможности исследования электрофизических свойств МДП-структур на основе n(p)-Hgi _ xCdxTe (x = 0,21...0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в широком диапазоне темпер
... More