Authors: Izhnin, Igor I. | Fitsych, Olena I. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Kokhanenko, Andrey P. | Lozovoy, Kirill A. | Dirko, Vladimir V.

Source: Applied nanoscience. 2020. Vol. 10, № 8. P. 2527-2533

Type: статьи в журналах

Date: 2020

Description: In the present paper, for the first time, the influence of interactions between 3D islands during epitaxial growth of quantum dots by Stranski–Krastanov mechanism is considered in the frames of kineti ... More

Authors: Шахнов, Вадим Анатольевич | Великовский, Леонид Эдуардович | Брудный, Павел Александрович | Демченко, Ольга Игоревна | Филиппов, Иван Андреевич

Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 1. С. 84-87

Type: статьи в журналах

Date: 2020

Description: Проанализированы экспериментальные данные по плазменному травлению суб-100-нм затворных щелей в транзисторах с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе гетероструктур InAlN/GaN. Рассмотрено вл ... More

Authors: Мировой, Юрий Александрович | Бурлаченко, Александр Геннадьевич | Буякова, Светлана Петровна

Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 5. С. 38-44

Type: статьи в журналах

Date: 2020

Description: Изучено влияние свободного углерода на уплотнение и механические свойства гетеромодульных композитов ZrC/C. Показано, что содержание свободного углерода до 3 об. % приводит к снижению остаточной порис ... More

Authors: Бурмистров, Евгений Романович | Афанасова, Марина Михайловна

Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 3. С. 88-96

Type: статьи в журналах

Date: 2020

Description: Исследуется механизм рассеяния носителей заряда на ионизированных атомах примеси в гетероструктуре InAs/AlSb с двумя заполненными подзонами размерного квантования. Цель статьи – разработка теории, кот ... More