Рассеяние носителей заряда на ионах примеси в гетероструктуре InAs/AlSb

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Рассеяние носителей заряда на ионах примеси в гетероструктуре InAs/AlSb	434 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.17223/00213411/63/3/88

Title: Рассеяние носителей заряда на ионах примеси в гетероструктуре InAs/AlSb
Creator: Бурмистров, Евгений Романович
|
Афанасова, Марина Михайловна
Date: 2020
DOI: 10.17223/00213411/63/3/88
Description: Исследуется механизм рассеяния носителей заряда на ионизированных атомах примеси в гетероструктуре InAs/AlSb с двумя заполненными подзонами размерного квантования. Цель статьи – разработка теории, которая в полной мере описывает квантово-механические процессы в изучаемой структуре. Проведённый расчет в рамках предлагаемого алгоритма транспортного времени показал, что разработанная теория с высокой точностью описывает механизм рассеяния двумерных носителей на ионах донорной примеси в активном слое InAs. Установлено, что время жизни, ограничивающее подвижность двумерных носителей, при рассеянии на ионах примеси порядка 10–12 с.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Rights: Resource access is available in the premises of Research Library
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 3. С. 88-96
Language: rus

Created: 28-04-2020

598 Visitors

597 Hits

4 Downloads

Журналы ТГУ Рассеяние носителей заряда на ионах примеси в гетероструктуре InAs/AlSb