Authors: Бурмистров, Евгений Романович | Авакянц, Лев Павлович | Кутырев, Глеб Юрьевич

Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2024. Т. 67, № 7. С. 15-25

Type: статьи в журналах

Date: 2024

Description: Путем численного самосогласованного решения системы уравнений Шредингера и электронейтральности Пуассона рассчитаны зонные диаграммы светодиодных гетероструктур с множественными квантовыми ямами InxGa ... More

Authors: Бурмистров, Евгений Романович | Авакянц, Лев Павлович

Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 12. С. 126-136

Type: статьи в журналах

Date: 2023

Description: Получены спектры фото- и электролюминесценции светодиодных гетероструктур со множественными квантовыми ямами (МКЯ) InxGa1–xN/GaN в активной области. Фотолюминесценция возбуждалась лазером с длиной вол ... More

Authors: Бурмистров, Евгений Романович | Авакянц, Лев Павлович | Афанасова, Марина Михайловна

Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 5. С. 9-19

Type: статьи в журналах

Date: 2021

Description: Исследован механизм пьезоэлектрического рассеяния носителей заряда в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с одной заполненной подзоной размерного квантования. Создана математическая модель, с помощью кото ... More

Authors: Бурмистров, Евгений Романович | Афанасова, Марина Михайловна

Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 3. С. 88-96

Type: статьи в журналах

Date: 2020

Description: Исследуется механизм рассеяния носителей заряда на ионизированных атомах примеси в гетероструктуре InAs/AlSb с двумя заполненными подзонами размерного квантования. Цель статьи – разработка теории, кот ... More