Add to Quick Collection
All 6 Results
Showing items 1 - 6 of 6.
Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 2. С. 8-11
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description:
Представлены результаты исследования влияния толщины барьерных слоев GaN в активной области светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN на внутреннюю квантовую эффективность (Internal Quantum E
... More
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 175-177
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 135-137
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Представлены результаты анализа падения квантовой эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при режимах фото- и электролюминесценции. Показано, что падение эффективности при комнатно
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 11. С. 134-137
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XIV Российской научной студенческой конференции, 13–15 мая 2014 г., Томск, Россия. Томск, 2014. С. 129-132
Type: статьи в сборниках
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 89-90
Type: статьи в журналах
Date: 2012