Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 14 Results

Showing items 1 - 14 of 14.
  • «
  • 1
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2024. Т. 67, № 6. С. 87-97
Type: статьи в журналах
Date: 2024
Description: Теоретически исследован микроскопический механизм размерного квантования зоны проводимости и валентной зоны полупроводников кубической и тетраэдрической симметрии в трехзонном приближении Кейна. Показ ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 10. С. 54-63
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Развита теория межзонного однофотонного одноквантового поглощения сильной световой волны в алмазоподобных полупроводниках со сложной зоной в многозонном приближении Кейна. Получено аналитическое выраж ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 10. С. 127-134
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Определены выражения для спектральной и температурной зависимости парциальных коэффициентов межзонного многофотонного поглощения света, отличающиеся друг от друга типами виртуальных оптических переход ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 11. С. 173-178
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Теоретически исследован линейно-циркулярный дихроизм двух- и трехфотонного поглощения света в полупроводниках кубической симметрии дырочной проводимости. Рассчитаны матричные элементы двух- и трехфото ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 1. С. 77-83
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Рассчитаны спектральная и температурная зависимость коэффициента однофотонного поглощения поляризованного излучения и исследован линейно-циркулярный дихроизм в теллуре дырочной проводимости. При этом ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 4. С. 8-15
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Рассчитаны коэффициенты прозрачности полупроводниковой структуры, состоящей из чередующихся асимметричных потенциальных барьеров и ям, где учтено условие Бастарда. Показано, что в структуре наблюдаетс ... More
Type: монографии
Date: 2019
Description: В монографии представлены теоретические подходы концепции, аналитические обзоры, практические решения в конкретных сферах науки и образования. Издание может быть интересно российским и зарубежным учен ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 144-150
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: Рассчитана спектральная и температурная зависимость коэффициента поглощения и тока эффекта фотонного увлечения в теллуре дырочной проводимости при освещении его линейно-поляризованным светом. При этом ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 3. С. 57-61
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Рассмотрено поглощение линейно-поляризованного излучения в полупроводниковой размерно-квантованной яме, связанное как с оптическими переходами между ветвями легких и тяжелых дырок, так и между размерн ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 4. С. 147-151
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Рассчитан ток сдвигового линейного фотогальванического эффекта в полупроводнике с горбообразной зонной структурой , обусловленного сдвигом носителей тока в реальном пространстве при прямых оптических ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 3. С. 114-121
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: Рассчитан и проведен теоретический анализ баллистического вклада в ток линейного фотогальванического эффекта при двухфотонном поглощении света в полупроводниках симметрии тетраэдра со сложной зонной с ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 10. С. 156-159
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: Теоретически исследовано распространение электронных волн в среде, свойства которой меняются только вдоль определенного направления. Подход основан на использовании одноэлектронного стационарного урав ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 1. С. 77-82
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: Теоретически проанализировано возникновение тока сдвигового линейного фотогальванического эффекта при двухфотонном поглощении света в полупроводниках без центра симметрии со сложной зонной структурой. ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 12. С. 13-17
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Рассчитаны матричные элементы оптических переходов, протекающих между подзонами валентной зоны полупроводника типа p-GaAs. При этом учтены переходы, связанные как с неодновременным поглощением отдельн ... More
  • «
  • 1
  • »

Date

^