Линейный фотогальванический эффект в полупроводнике с горбообразной зонной структурой с учетом эффекта когерентного насыщения

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Линейный фотогальванический эффект в полупроводнике с горбообразной зонной структурой с учетом эффекта когерентного насыщения	442 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Линейный фотогальванический эффект в полупроводнике с горбообразной зонной структурой с учетом эффекта когерентного насыщения
Creator: Расулов, Рустам Явкачович
|
Расулов, Вохоб Рустамович
|
Эшболтаев, Икболжон Мамиржонович
Date: 2017
Description: Рассчитан ток сдвигового линейного фотогальванического эффекта в полупроводнике с горбообразной зонной структурой , обусловленного сдвигом носителей тока в реальном пространстве при прямых оптических переходах. При этом учтен вклад когерентного насыщения конечного состояния носителей тока в ток сдвигового линейного фотогальванического эффекта.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 4. С. 147-151
Language: rus

Created: 25-06-2024

214 Visitors

152 Hits

68 Downloads

Журналы ТГУ Линейный фотогальванический эффект в полупроводнике с горбообразной зонной структурой с учетом эффекта когерентного насыщения