К теории прохождения электронов в полупроводниковой структуре, состоящей из чередующихся асимметричных прямоугольных потенциальных ям и барьеров

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
К теории прохождения электронов в полупроводниковой структуре, состоящей из чередующихся асимметричных прямоугольных потенциальных ям и барьеров	366 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

#Шредингера уравнение

#электроны

#де Бройля волны

#Бастарда граничные условия

#туннельный переход

Title: К теории прохождения электронов в полупроводниковой структуре, состоящей из чередующихся асимметричных прямоугольных потенциальных ям и барьеров
Creator: Расулов, Вохоб Рустамович
Date: 2016
Description: Теоретически исследовано распространение электронных волн в среде, свойства которой меняются только вдоль определенного направления. Подход основан на использовании одноэлектронного стационарного уравнения Шрёдингера для описания процессов упругого рассеяния, в том числе туннелирования, невзаимодействующих бесспиновых частиц при условии сохранения их полной энергии.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 10. С. 156-159
Language: rus

Created: 02-07-2024

111 Visitors

78 Hits

39 Downloads

Журналы ТГУ К теории прохождения электронов в полупроводниковой структуре, состоящей из чередующихся асимметричных прямоугольных потенциальных ям и барьеров