Add to Quick Collection
All 79 Results
Showing items 1 - 15 of 79.
Add All Items to Quick Collection
Source: EPJ Web of Conferences. 2017. Vol. 133. P. 02001 (1-4)
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Impact of illumination on the admittance of the MIS structures based on MBE Hg1-xCdxTe with graded-gap layers and single quantum wells was investigated. It is shown that for HgCdTe-based nanostructure
... More
Source: Nanomaterials. 2023. Vol. 13, № 2. P. 308 (1-21)
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
The effect of thermally generated equilibrium carrier distribution on the vacancy generation, recombination, and mobility in a semiconductor heterostructure with an undoped quantum well is studied. A
... More
Source: International Journal of Nanotechnology. 2015. Vol. 12, № 3/4. P. 164-173
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Advanced Materials Research. 2014. Vol. 1040. P. 34-38
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Surface Science Reports. 2013. Vol. 68, № 3/4. P. 305-389
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Journal of Physics: Conference Series. 2015. Vol. 661. P. 012032 (1-6)
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
The paper presents brief research results of the admittance of metal-insulator- semiconductor (MIS) structures based on Hg1-xCdxTe grown by molecular-beam epitaxy (MBE) method including single HgCdTe/
... More
Authors:
Aronzon, B. A. |
Rylkov, V. V. |
Davydov, A. B. |
Tugushev, V. V. |
Caprara, S. |
Likhachev, I. A. |
Pashaev, E. M. |
Chuev, M. A. |
Lahderanta, E. |
Vedeneev, A. S. |
Bugaev, A. S. |
Pankov, M. A.
Source: The European physical journal B. 2012. Vol. 85. P. 206 (1-11)
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Surface and coatings technology. 2020. Vol. 384. P. 125289 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Nowadays, two-dimensional crystals (2D materials) and structures with quantum dots (0D materials) are considered
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 12. С. 126-136
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Получены спектры фото- и электролюминесценции светодиодных гетероструктур со множественными квантовыми ямами (МКЯ) InxGa1–xN/GaN в активной области. Фотолюминесценция возбуждалась лазером с длиной вол
... More
Authors:
Krishtopenko, Sergey S. |
Grabecki, Grzegorz |
Jouault, Benoit |
Consejo, Christophe |
Desrat, Wilfried |
Kadykov, Alexander M. |
Spirin, Kirill E. |
Gavrilenko, Vladimir I. |
Mikhailov, Nikolay N. |
Dvoretsky, Sergei A. |
But, Dmytro B. |
Teppe, Frederic |
Wróbel, Jerzy |
Cywiński, Grzegorz |
Kret, Sławomir |
Dietl, Tomasz |
Knap, Wojciech |
Yahniuk, Ivan |
Majewicz, Magdalena
Source: npj Quantum materials. 2019. Vol. 4. P. 13 (1-8)
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description:
HgTe quantum wells (QWs) are two-dimensional semiconductor systems that change their properties at the critical thickness dc, corresponding to the band inversion and topological phase transition. The
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 4. С. 92-98
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 175-177
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 10/3. С. 206-208
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Physica status solidi B. 2015. Vol. 252, № 5. P. 946-951
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
In this paper the results of experiments on terahertz generation from nitride light-emitting diode heterostructures under twophoton excitation by femtosecond laser pulses are reported. Dependencies of
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 251-252
Type: статьи в журналах
Date: 2012