Description of electrophysical characteristics for MIS-structures with CdHgTe-based quantum wells under the 8–300 K

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Description of electrophysical characteristics for MIS-structures with CdHgTe-based quantum wells under the 8–300 K	362 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Description of electrophysical characteristics for MIS-structures with CdHgTe-based quantum wells under the 8–300 K
Creator: Voytsekhovskiy, Alexander V.
|
Gorn, Dmitriy Igorevich
Contributor: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
-: Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ
Date: 2013

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет | Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 10/3. С. 206-208
Language: eng

Created: 16-05-2014

1411 Visitors

1167 Hits

271 Downloads

Журналы ТГУ Description of electrophysical characteristics for MIS-structures with CdHgTe-based quantum wells under the 8–300 K