Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
молекулярно-лучевая эпитаксия | барьерная структура

Add to Quick Collection   All 6 Results

Showing items 1 - 6 of 6.
  • «
  • 1
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 9. С. 5-16
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Представлены описание методики и результаты моделирования энергетической диаграммы, а также электрофизических и фотоэлектрических характеристик униполярных барьерных структур на основе гетероэпитаксиа ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 10. С. 44-53
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Определены оптимальные параметры фоточувствительной униполярной барьерной структуры, которая обладает фоточувствительностью в диапазоне 1−3 мкм, посредством расчета зависимостей максимальной обнаружит ... More
Source: Прикладная физика. 2022. № 4. С. 40-45
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Проведено исследование структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) на основе n-HgCdTe (КРТ), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в конфигурации NBvN, предназначенных для разраб ... More
Source: Journal of communications technology and electronics. 2023. Vol. 68, № 3. P. 334-337
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: The study is devoted to an experimental analysis of the electrical and photoelectric characteristics of barrier photosensitive structures in the NBνN configuration based on n-HgCdTe. Seven different t ... More
Source: Journal of communications technology and electronics. 2021. Vol. 66, № 9. P. 1084-1091
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: We analyze the current state of research in the field of creating unipolar semiconductor barrier structures based on various materials for infrared photodetector arrays, which make it possible to redu ... More
Source: Прикладная физика. 2022. № 3. С. 37-42
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Проведено исследование электрофизических и фотоэлектических характеристик барьерных фоточувствительных структур в конфигурации NBvN на основе n-HgCdTe (КРТ). Исследовано семь различных типов фоточувст ... More
  • «
  • 1
  • »
^