Моделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок GeSi/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Моделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок GeSi/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии	375 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

#молекулярно-лучевая эпитаксия

#эпитаксиальные пленки

#биполярные транзисторы

#моделирование

Title: Моделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок GeSi/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Title: Modeling of parameters of transistors based on epitaxial GeSi/Si films grown by the MBE method
Creator: Кравцова, Наталья Сергеевна
Date: 2018

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в сборниках
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XVI Российской научной студенческой конференции, Томск, 17–20 апреля 2018 г.. Томск, 2018. С. 213-214
Language: rus

Created: 01-07-2019

613 Visitors

415 Hits

206 Downloads

Радиофизический факультет Моделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок GeSi/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии