Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001)

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001)	419 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001)
Creator: Емельянов, Евгений Александрович
|
Абрамкин, Демид Суад
|
Пчеляков, Олег Петрович
|
Путято, Михаил Альбертович
|
Семягин, Борис Рэмович
|
Преображенский, Валерий Владимирович
|
Василенко, Антон Павлович
|
Феклин, Дмитрий Федорович
|
Zhicuan, Niu
|
Коханенко, Андрей Павлович
|
Haiqiao, Ni
Contributor: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
-: Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников
Date: 2014

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Физический факультет | Радиофизический факультет | Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 3. С. 68-72
Language: rus

Created: 14-05-2014

3284 Visitors

2893 Hits

435 Downloads

Журналы ТГУ Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001)