| Перестраиваемый в диапазоне длин волн 3.3−4.2 мкм параметрический генератор света на базе монокристалла ZnGeP2 со спектральной шириной генерируемого излучения 1 см–1 |
6487 |
6433 |
4 |
| Формирование ВЧ-разряда в активной среде лазеров на парах металлов |
1108 |
1571 |
484 |
| Энергетические характеристики параметрического генератора на базе нелинейного кристалла ZnGeP2 для лидарных систем и дистанционного газоанализа |
584 |
579 |
9 |
| Разработка дихроичного зеркала на основе Nb2O5/SiO2 для ЛИДАРных систем |
3621 |
3609 |
9 |
| Диагностика включений в кристаллах ZnGeP2 методом терагерцовой спектроскопии |
2736 |
2729 |
6 |
| Релаксация метастабильных состояний в лазерах на самоограниченных переходах |
1023 |
1466 |
499 |
| Разработка тонкопленочного покрытия Nb2O5/SiO2 для зеркал резонатора параметрического генератора света на основе монокристалла ZnGeP2 |
2976 |
2967 |
3 |
| Лазеры на парах металлов с бестиратронным источником питания |
1335 |
1543 |
234 |
| Определение влияния магнитореологической полировки рабочих поверхностей монокристалл ZnGeP2 на изменение порога оптического пробоя |
1326 |
1414 |
105 |
| Исследование процесса оптического пробоя кристаллов ZnGeP2 посредством цифровой голографии |
1384 |
1380 |
5 |
| Оптимальные режимы накачки параметрического генератора света на базе нелинейного кристалла ZnGeP2 |
592 |
792 |
229 |
| Точность определения продольных координат частиц методом цифровой голографии |
1014 |
1071 |
113 |
| Энергетические характеристики лазера на парах стронция при газоразрядном способе возбуждения: магистерская диссертация по направлению подготовки: 12.04.03 - Фотоника и оптоинформатика |
747 |
1788 |
1125 |
| Дефектоскопия монокристаллов ZnGeP2 излучением лазера на парах стронция |
1732 |
1927 |
222 |
| Эффективность накачки активной среды лазеров на парах металлов: газоразрядные трубки с электродами в горячей зоне разрядного канала |
220 |
266 |
50 |
| Идентификация полос роста монокристаллов ZnGeP2 методом цифровой голографии |
1641 |
1690 |
55 |
| Физические подходы к разработке двухкаскадного терагерцового лазера с генерацией излучения разностной частоты в нелинейно-оптическом кристалле ZnGeP2 |
1257 |
1672 |
443 |
| Диффузионное легирование, как способ повышения порога оптического пробоя монокристалла дифосфида цинка-германия |
1743 |
1844 |
116 |
| Подавление когерентных шумов на цифровых голографических изображениях |
826 |
861 |
43 |
| Проекционная система для исследования оптического пробоя монокристаллических материалов прозрачных в ИК диапазоне спектра |
781 |
931 |
172 |
| Эффективность накачки активной среды лазеров на самоограниченных переходах атомов металлов с частичным разрядом накопительного конденсатора: научный доклад по направлению подготовки: 03.06.01 - Физика и астрономия |
166 |
367 |
209 |
| Влияние термических отжигов на диэлектрические свойства кристаллов ZnGeP2 в терагерцовом диапазоне частот |
696 |
825 |
145 |
| Параметрический генератор света на базе нелинейного кристалла ZnGeP2 для дистанционного обнаружения утечек метана |
1431 |
1651 |
229 |
| Выращивание монокристалла дифосфида цинка-германия сильнолегированного Te с помощью оригинальной технологии легирования |
398 |
437 |
43 |
| Диэлектрическое поляризационное зеркало для систем ПГС среднего ИК-диапазона |
3255 |
3349 |
126 |
| Влияние плазменного травления на порог оптического пробоя нелинейных кристаллов ZnGeP2 в области длин волн ~2.1 мкм |
479 |
472 |
2 |
| Методы цифровой голографии для исследования механизма оптического пробоя монокристалла ZnGeP2 |
566 |
771 |
221 |
| Лазер на парах стронция с оптической накачкой активной среды |
1131 |
1474 |
392 |
| Физические принципы создания перестраиваемого терагерцового лазера |
579 |
780 |
209 |
| Влияние магнитореологической полировки рабочей поверхности ZnGeP2 на оптическую прочность кристалла |
479 |
525 |
48 |
| Лазеры на парах металлов со средней мощностью ~ 5 Вт |
2643 |
2908 |
289 |
| Исследование оптических свойств монокристалла дифосфида цинка-германия сильнолегированного Te |
398 |
468 |
72 |
| Влияние состава и морфологии диэлектрических зеркал для лазерных источников лидарных комплексов на их порог оптического пробоя |
753 |
813 |
62 |
| Моделирование процесса формирования высокоскоростной волны ионизации в активной среде лазеров на парах металлов |
704 |
945 |
261 |
| Узкополосные фильтры ближнего ИК-диапазона для систем дистанционного газоанализа |
2640 |
2623 |
2 |
| Порог лазерного разрушения нелинейных кристаллов GaSe и GaSe:In на длине волны 2091 нм |
1106 |
1260 |
175 |
| Просветляющие интерференционные оксидные покрытия среднего ИК-диапазона для полупроводниковых оптических подложек |
1874 |
1871 |
8 |
| Влияние электрофизических процессов в разрядном контуре на энергетические характеристики лазера на парах меди |
911 |
1157 |
258 |
| Влияние разряда на энергетические характеристики лазеров на парах металлов |
634 |
869 |
240 |
| Эффективность накачки лазеров на парах металлов |
624 |
763 |
149 |
| Лазер на парах меди для медицины |
641 |
945 |
327 |
| Просветляющие оптические покрытия нелинейных кристаллов ZnGeP2 |
1510 |
1600 |
110 |
| О механизме оптического пробоя монокристалла ZnGeP2 |
775 |
957 |
188 |
| Влияние технологии постростовой обработки на порог оптического пробоя монокристалла ZnGeP2 |
4033 |
4001 |
10 |
| О возможности модернизации лазера на парах меди "Малахит" |
782 |
1026 |
269 |
| Влияние параметров лазерной закалки на порог оптического пробоя поверхности монокристаллов |
412 |
451 |
42 |
| Эффективность накачки лазера на парах золота в режиме "отсечки" энерговклада |
1058 |
1293 |
246 |
| Двухволновая цифровая голографическая камера с использованием лазера на парах меди |
85 |
146 |
64 |
| О механизме ограничения частотно-энергетических характеристик лазеров на парах металлов |
1338 |
1533 |
231 |
| О механизме ограничения частотно-энергетических характеристик лазеров на самоограниченных переходах атомов металлов |
140 |
174 |
37 |
| Ионная очистка поверхностей Ge-подложек перед ионно-лучевым напылением тонких пленок |
1526 |
1564 |
67 |
| Система машинного зрения на основе методов цифровой голографии и сверточных нейронных сетей для дефектоскопии заготовок нелинейных монокристаллов среднего ИК и УФ диапазона |
336 |
421 |
92 |
| Визуализация и характеризация предпробойных процессов в объеме монокристалла ZnGeP2 во время параметрической генерации излучения в диапазоне длин волн 3.5–5 мкм при накачке излучением Ho:YAG-лазера |
4985 |
4968 |
5 |
| Лучевая прочность тонкопленочного покрытия Nb2O5/SiO2 для зеркал резонатора параметрического генератора света на основе монокристалла ZnGeP2 |
2774 |
2762 |
4 |
| Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы Всероссийской конференции с международным участием, 10-13 сентября 2024 г |
997 |
1126 |
238 |
| О возможности генерации ТГц-излучения на разностной частоте в монокристалле ZnGeP2 при накачке излучением лазера на парах стронция |
584 |
867 |
302 |
| Адаптация теории интерферометра Фабри-Перо для обработки данных терагерцовой спектроскопии ZnGeP2 |
617 |
824 |
217 |
| Генерация ТГц-излучения на разностной частоте в ZnGeP2 при накачке излучением стронциевого лазера |
1016 |
1279 |
279 |
| Пробой в активных средах с высокой проводимостью плазмы |
348 |
465 |
123 |
