Add to Quick Collection
All 99 Results
Showing items 61 - 75 of 99.
Add All Items to Quick Collection
Source: Semiconductors. 2012. Vol. 46, № 6. P. 801-809
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Journal of experimental and theoretical physics. 2012. Vol. 114, № 6. P. 1037-1042
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: The European physical journal B. 2012. Vol. 85. P. 149 (1-12)
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 2. С. 53-56
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Description:
Методом ядерного квадрупольного резонанса Cu (ЯКР Cu) исследованы образцы полупроводникового соединения CuAlO2. Кристаллическая структура CuAlO2 относится к семейству делафоссита – минерала основного
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 5. С. 100-104
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Description:
Исследованы основные параметры копланарной линии, используемой для возбуждения волн геликонового типа. Определены компоненты векторов напряженности электрического и магнитного полей, вектора Пойнтинга
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. № 10. С. 75-81
Type: статьи в журналах
Date: 2011
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 10. С. 88-90
Type: статьи в журналах
Date: 2011
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 4. С. 93-95
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 1. С. 70-75
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description:
Представлены результаты оптимизации атомной структуры и расчета электронных и транспортных характеристик кремниевых кластеров с плотной атомной упаковкой Si13 и кремниевых наночастиц, инкапсулированны
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 11/2. С. 20-25
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description:
Исследованы основные параметры щелевой линии, используемой для возбуждения волн геликонового типа. Определены компоненты векторов напряженности электрического и магнитного полей, вектора Пойнтинга и х
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 4. С. 16-20
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description:
Приведены результаты расчета профилей распределения радиационных дефектов и термомеханических характеристик материала при воздействии мощными лазерными пучками на полупроводниковые образцы КРТ, в рамк
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 10. С. 52-55
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description:
Показано, что в основе направленной самоорганизации электронного потока в полупроводниках может лежать резонансный механизм на неоднородностях, образованных фиксированным распределением диэлектрическо
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 2. С. 40-45
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description:
Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe (x = 0,22–0,23 и 0,32–0,36) с выращенным in situ CdTe в качестве пассивирующего покрытия. Опре
... More
Type: учебные издания
Date: 2008
Description:
Загл. с экрана
Type: учебные издания
Date: 2006
Description:
Электронный образовательный ресурс "Волоконно-оптические линии связи" предназначен для студентов старших курсов высших учебных заведений физических и физико-технических специальностей. Пособие рассмат
... More