Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
полупроводники

Add to Quick Collection   All 74 Results

Showing items 1 - 15 of 74.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 11. С. 173-178
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Теоретически исследован линейно-циркулярный дихроизм двух- и трехфотонного поглощения света в полупроводниках кубической симметрии дырочной проводимости. Рассчитаны матричные элементы двух- и трехфото ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 4. С. 8-15
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Рассчитаны коэффициенты прозрачности полупроводниковой структуры, состоящей из чередующихся асимметричных потенциальных барьеров и ям, где учтено условие Бастарда. Показано, что в структуре наблюдаетс ... More
Source: Thin solid films. 2019. Vol. 692. P. 137622 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: Pentacene-based metal-insulator-semiconductor capacitors with SiO2 and SiO2/Ga2O3 insulators were investigated in the temperature range of 9–300 K. The capacitance-voltage curves of the fabricated cap ... More
Source: Инноватика - 2019 : сборник материалов XV Международной школы-конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, 25-27 апреля 2019 г., г. Томск, Россия. Томск, 2019. С. 181-185
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Description: The article is devoted to a complex method for measuring the resistivity of semiconductor
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 144-150
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: Рассчитана спектральная и температурная зависимость коэффициента поглощения и тока эффекта фотонного увлечения в теллуре дырочной проводимости при освещении его линейно-поляризованным светом. При этом ... More
Source: Инноватика - 2018 : сборник материалов XIV Международной школы-конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, 26-27 апреля 2018 г., г. Томск, Россия. Томск, 2018. С. 125-128
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Description: The article is devoted to a non-contact method for measuring the resistivity of semiconductor
Type: монографии
Date: 2018
Description: В монографии на основе оригинальных представлений последовательно и всесторонне обсуждены различные аспекты природы электрофизических явлений структур с барьером Шоттки на GaAs. Внедрение в промышленн ... More
Source: Semiconductors. 2016. Vol. 50, № 2. P. 171-179
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: Halogen (F, Cl, Br, and I) adsorption at an As-stabilized GaAs (001) surface with the β2–(2 × 4) reconstruction is studied using the plane-wave projected-augmented wave method. The effect of halogens ... More
Source: Scientific Reports [Еlectronic resource]. 2016. Vol. 6. P. 24137 (1-6)
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: We report an ab initio study of the effect of hydrostatic pressure and uniaxial strain on electronic properties of KNa2Bi, a cubic bialkali bismuthide. It is found that this zero-gap semimetal with an ... More
Source: Infrared physics and technology. 2015. Vol. 71. P. 236-241
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Metal–insulator–semiconductor structures based on n-Hg1−xCdxTe (x = 0.19–0.25) were grown by molecular-beam epitaxy on the GaAs (0 1 3) substrates. Near-surface graded-gap layers with high CdTe conten ... More
Source: Journal of solid state chemistry. 2015. Vol. 232. P. 67-72
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The influence of van der Waals interactions on the lattice parameters, band structure, elastic moduli and binding energy of layered GaSe compound has been studied using projector-augmented wave method ... More
Source: Semiconductor science and technology. 2015. Vol. 30, № 11. P. 115019 (1-9)
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Density functional theory calculations have been applied to study the structural and electronic properties of layered epsilon-GaSe, γ-InSe, β-GaS and GaTe compounds. The optimized lattice parameters h ... More
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 57, № 9. P. 1287-1293
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Within the limits of a linear model based on processing of data of direct calibration measurements with semiconductor multisensors, a method of their calibration by standard levels of gas concentratio ... More
Source: Semiconductors. 2015. Vol. 49, № 10. P. 1307-1310
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The height of the (Au, Pd, Pt, Cu, Ag, Sn, In, Al, Mg, Ca, Li, Cs)/GaSe(0001) Schottky barrier as a function of the metal work function and the energy-band offsets in InSe(0001)/GaSe(0001) and GaSe(00 ... More

Date

^