Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 23 Results

Showing items 1 - 15 of 23.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 8. С. 122-125
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Исследовано влияние температурных отжигов на диэлектрические свойства кристаллов ZnGeP2 в терагерцовом диапазоне частот с применением импульсной терагерцовой спектроскопии во временной области. Обнару ... More
Source: Surface and coatings technology. 2020. Vol. 392. P. 125760 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Metal–insulator–semiconductor (MIS) structures based on HgCdTe were fabricated after various stages of pn
Source: Surface and coatings technology. 2020. Vol. 393. P. 125721 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Results of the Hall-effect studies of surface properties of n–type HgCdTe films modified with arsenic ion implantation
Source: Journal of electronic materials. 2020. Vol. 49, № 5. P. 3202-3208
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Heteroepitaxial n-Hg0.78Cd0.22Te films with near-surface graded-gap layers
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 5. С. 154-158
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/ n -GaAs с анодными пленками оксида галлия, полученными окислением n -GaAs в гальваностатическом режиме. Пленки оксида галли ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 241-245
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Показано, что проводимость структур Ga2O3- п -GaAs при положительных потенциалах на затворе определяется термоэлектронной эмиссией из GaAs в Ga2O3. При отрицательных смещениях проводимость структур об ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 236-240
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Приведены результаты исследований влияния термического отжига на свойства структур n -GaAs- Ga2O3-Me. Показана связь структурно-фазовых изменений в оксидной пленке с проводимостью образцов на переменн ... More
Source: The international workshop on UV materials and devices, July 27-31, 2016, Beijing, China. [S. l.], 2016. P. 88-89
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: XV Международная молодежная конференция по люминесценции и лазерной физике, село Аршан, Республика Бурятия, Россия, 18-24 июля 2016 г. : тезисы лекций и докладов. Иркутск, 2016. С. 7
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 209-211
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Semiconductors. 2015. Vol. 49, № 8. P. 1012-1018
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The effects of thermal annealing and exposure to oxygen plasma on the electrical and photoelectric properties of metal-TiO2-Si structures are investigated. The TiO2 films are fabricated by the rf magn ... More
Source: Международная молодежная научная конференция "Актуальные проблемы современной механики сплошных сред и небесной механики", 17–19 ноября 2014 г., Томск. Томск, 2014. С. 79-80
Type: статьи в сборниках
Date: 2014
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XIV Российской научной студенческой конференции, 13–15 мая 2014 г., Томск, Россия. Томск, 2014. С. 120-123
Type: статьи в сборниках
Date: 2014

Date

^