Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
светодиоды

Add to Quick Collection   All 15 Results

Showing items 1 - 15 of 15.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Electron irradiation degradation of AlGaInP/GaAs light‐emitting diodes
Authors: Brudnyi, Valentin N. | Oleinik, Vladimir | Marmaluk, Alexander A. | Prudaev, Ilya A.
Source: Physica status solidi A : applications and materials science. 2018. Vol. 215, № 8. P. 1700445 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Red and yellow AlGaInP/GaAs light‐emitting diodes (LEDs) with multiple quantum wells grown by the metalorganic chemical vapor deposition technique were irradiated at room temperature by 10 MeV electro ... More
Add   Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates
Authors: Romanov, I. S. | Brudnyi, Valentin N. | Kopyev, V. V. | Novikov, Vadim A. | Marmalyuk, A. A. | Kureshov, V. A. | Sabitov, D. R. | Mazalov, A. V. | Prudaev, Ilya A.
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 57, № 11. P. 1604-1608
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The results of studies of blue LED InGaN/GaN heterostructures with a short-period InGaN/GaN superlattice in front of an active region of the structure grown on flat and patterned Al2O3 substrates are ... More
Add   Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 110-113
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Исследование низкотемпературных электрических характеристик светодиодов из AlGaInP
Authors: Олейник, Владимир Леонидович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 138-140
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Полупроводниковая электроника : учебно-методический комплекс : [для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению 03.03.03 «Радиофизика»].
Authors: Гермогенов, Валерий Петрович | Вячистая, Юлия Валерьевна
Type: онлайн-курсы ТГУ. МOODLE
Date: 2015
Description: Учебно-методический комплекс предназначен для электронного сопровождения дисциплины «Полупроводниковая электроника». В учебном материале рассмотрены свойства полупроводниковых барьерных структур. Обсу ... More
Add   Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 5. С. 85-88
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Иван Сергеевич | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Олейник, Владимир Леонидович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 7. С. 48-51
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P
Authors: Олейник, Владимир Леонидович | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 7. С. 48-51
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Бактыбаев, Азамат Абдухашимулы | Романов, Иван Сергеевич | Зубрилкина, Юлия Леонидовна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 9. С. 88-89
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 11. С. 134-137
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Рекомбинационные токи в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlхGa1-х)0,5In0,5P/(AlyGa1-y)0,5In0,5P
Authors: Скакунов, Максим Сергеевич | Лелеков, Михаил Александрович | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8. С. 44-47
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Копьев, Виктор Васильевич | Ширапов, Сергей Баирович | Толбанов, Олег Петрович | Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 30-32
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN
Authors: Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Мазалов, Александр Владимирович | Сабитов, Дамир Равильевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Романов, Иван Сергеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 56-57
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Оптимизация технологических параметров роста пленок GaN:Mg
Authors: Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Мазалов, Александр Владимирович | Сабитов, Дамир Равильевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Романов, Иван Сергеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 58-59
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN
Authors: Пономарев, Иван Викторович | Романов, Иван Сергеевич | Копьев, Виктор Васильевич | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 89-90
Type: статьи в журналах
Date: 2012
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »

Creator

Date

Subject

Resource Type

^