Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 44 Results

Showing items 1 - 15 of 44.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Physica status solidi A : applications and materials science. 2018. Vol. 215, № 8. P. 1700445 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Red and yellow AlGaInP/GaAs light‐emitting diodes (LEDs) with multiple quantum wells grown by the metalorganic chemical vapor deposition technique were irradiated at room temperature by 10 MeV electro ... More
Source: Journal of magnetism and magnetic materials. 2018. Vol. 459. P. 231-235
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: We report analytic investigation of the electronic properties of heterostructures comprised by films of three-dimensional topological insulator (TI) and normal insulator (NI) revealing strong interfac ... More
Source: Opto-electronics review. 2018. Vol. 26, № 3. P. 195-200
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: In this paper questions of optimization of growth conditions in the method of molecular beam epitaxy for creation of high-efficient quantum dot infrared photodetectors are considered. As a model mater ... More
Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 2 : Стендовые доклады. С. 486-489
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XVI Российской научной студенческой конференции, Томск, 17–20 апреля 2018 г.. Томск, 2018. С. 184-186
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Source: XV Международная молодежная конференция по люминесценции и лазерной физике, село Аршан, Республика Бурятия, Россия, 18-24 июля 2016 г. : тезисы лекций и докладов. Иркутск, 2016. С. 7
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Physical chemistry chemical physics. 2015. Vol. 17, № 44. P. 30052-30056
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Experimental results indicate a particular importance of such a value as the equilibrium thickness of the wetting layer during epitaxial growth according to the Stranski–Krastanow mechanism in systems ... More
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 57, № 11. P. 1604-1608
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The results of studies of blue LED InGaN/GaN heterostructures with a short-period InGaN/GaN superlattice in front of an active region of the structure grown on flat and patterned Al2O3 substrates are ... More
Source: Effect of external influences on the strength and plasticity of metals and alloys : book of the International workshop articles, Russia-China, 15-20 September, 2015 [Barnaul-Belokurikha]. Barnaul, 2015. P. 183-184
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Source: International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON–2015), Russia, Omsk, may 21-23, 2015 : proceedings. Omsk, 2015. P. [1-4]
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Source: Journal of experimental and theoretical physics letters. 2015. Vol. 102, № 11. P. 754-759
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: In the framework of an effective functional approach based on the k · p method, we study the combined effect of an interface potential and a thickness of a three-dimensional (3D) topological insulator ... More
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 58, № 7. P. 965-969
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Results of investigations into the synthesis of heterostructures based on Ge–Si–Sn materials by the method of low-temperature molecular beam epitaxy are presented. The formation of epitaxial films dur ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 138-140
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Type: онлайн-курсы ТГУ. МOODLE
Date: 2015
Description: Учебно-методический комплекс предназначен для электронного сопровождения дисциплины «Полупроводниковая электроника». В учебном материале рассмотрены свойства полупроводниковых барьерных структур. Обсу ... More

Date

^