Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич | молекулярно-лучевая эпитаксия | МДП-структуры

Add to Quick Collection   All 39 Results

Showing items 1 - 15 of 39.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe в диапазоне температур 9-250 К
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Сборник трудов X Международной конференции "Фундаментальные проблемы оптики – 2018", Санкт-Петербург, 15-19 октября 2018. СПб., 2018. С. 395-397
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Add   Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич | Марин, Денис Викторович
Source: Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 4. С. 33-35
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Пленки n-Hg0.775Cd0.225Te с приповерхностными широкозонными слоями выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из Si (013). Для измерений адмиттанса структуры металл-диэлектрик-пол ... More
Add   Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич (физик) | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 5. С. 62-69
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 235-238
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В работе приводятся результаты исследований свойств быстрых поверхностных состояний на границе раз-дела диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытия-м ... More
Add   Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями
Authors: Кульчицкий, Николай Александрович | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 2 : Стендовые доклады. С. 401-405
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Add   Полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg1–хCdхTe (x = 0.22–0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич (физик) | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 6. С. 3-11
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 8. С. 59-69
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Несмелов, Сергей Николаевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 257-261
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В работе приводятся результаты исследований полной проводимости МДП-структур на основе гетероэпи-таксиального МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с диэлектрическими покрытиями SiO2-Si3N4 и Al2O3 в диапазоне часто ... More
Add   Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.23) в широком диапазоне температур
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич (физик) | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 4. С. 102-109
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Васильев, Владимир Васильевич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Несмелов, Сергей Николаевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 202-205
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Использована специальная методика измерений электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe, позволяющая исключить влияние гистерезисных явлений на результаты измерения первой произв ... More
Add   Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23)
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич (физик) | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Юрий Георгиевич | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8. С. 56-62
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Теоретическое описание особенностей вольт-фарадных характеристик МДП-структур с квантовыми ямами CdHgTe при температурах 8-300 К
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 55, № 9/2. С. 37-39
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3
Authors: Дзядух, Станислав Михайлович | Несмелов, Сергей Николаевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Васильев, Владимир Васильевич (физик) | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 3-12
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе n ( p ) - Hg1-x Cd x Te (при x от 0.22 до 0.40) с диэлектриками SiO2/Si3N4, Al2O3 и CdTe/Al2O3 при температуре 77 К. Выращивание в процессе ... More
Add   Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Несмелов, Сергей Николаевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 269-272
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В работе приводятся результаты исследований адмиттанса МДП-структур на основе n(p)-HgCdTe, выра-щенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на различных альтернативных подложках (GaAs и Si). Прове-д ... More
Add   Адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) в широком диапазоне температур
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Кульчицкий, Николай Александрович
Source: Успехи прикладной физики. 2017. Т. 5, № 1. С. 54-62
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ p-HgCdTe ( x = 0,22-0,23) в широком диапазоне частот и температур. Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для ... More

Creator

Date

Subject

Resource Type

^