Please be patient while the object screen loads.
Description | Size | Format | ||
---|---|---|---|---|
Полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg1–хCdхTe (x = 0.22–0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии | 608 KB | Adobe Acrobat PDF | Read | Download |