Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Толбанов, Олег Петрович

Add to Quick Collection   All 67 Results

Showing items 1 - 15 of 67.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 1
Authors: Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 1. С. 56-66
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Представлен обзор литературы по магнитным свойствам арсенида галлия, легированного марганцем (GaMnAs), с включениями нанокластеров. Экспериментальные исследования однозначно показали, что GaMnAs с вкл ... More
Add   Нитрид галлия в качестве материала для спинтроники
Authors: Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8. С. 44-49
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Кособуцкий, Алексей Владимирович | Саркисов, Сергей Юрьевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 2. С. 47-51
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Получение и исследование нитрида индия, обладающего ферромагнитными свойствами
Authors: Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12. С. 113-121
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Представлен обзор научной литературы с 2000 г. по легированию InN примесями, придающими ему ферромагнитные свойства, и магнитным свойствам InN. По данным теоретических и экспериментальных исследований ... More
Add   Нитрид алюминия, легированный переходными металлами, в качестве материала для спинтроники
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Роот, Людмила Олеговна | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Хлудков, Станислав Степанович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 11. С. 162-172
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Представлен обзор литературы по электрическим и магнитным свойствам нитрида алюминия, легированного примесями переходных металлов группы железа. В обзоре использованы данные из открытых литературных и ... More
Add   Физические свойства нитрида индия, примеси и дефекты
Authors: Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9. С. 23-31
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами
Authors: Толбанов, Олег Петрович | Вилисова, Мария Дмитриевна | Прудаев, Илья Анатольевич | Хлудков, Станислав Степанович
Type: монографии
Date: 2016
Add   Получение и свойства ферромагнитного нитрида алюминия, легированного немагнитными примесями
Authors: Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Роот, Людмила Олеговна | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 6. С. 3-16
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Представлен обзор литературы по легированию AlN немагнитными примесями (элементами I, II, III и IV групп обеих подгрупп и редкоземельными элементами), придающими ему ферромагнитные свойства. Детально ... More
Add   Измерение времени жизни носителей заряда в SI-GaAs:Cr и EL2-GaAs методом pump-probe-терагерцовой спектроскопии
Authors: Кобцев, Даниил Александрович | Редькин, Руслан Александрович | Саркисов, Сергей Юрьевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Колесникова, Ирина Игоревна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 4. С. 16-21
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Проведено исследование временной динамики релаксации неравновесной концентрации носителей заряда в полупроводниковых кристаллах SI-GaAs:Cr и EL2-GaAs методом pump-probe-терагерцовой спектроскопии. Про ... More
Add   Детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия
Authors: Толбанов, Олег Петрович
Source: Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 155-163
Type: статьи в журналах
Date: 2005
Add   Диффузия примесей и собственных точечных дефектов в арсениде галлия
Authors: Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич
Type: монографии
Date: 2022
Description: В монографии систематизированы наиболее важные, по нашему мнению, данные, касающиеся процесса диффузии в арсениде галлия собственных точечных дефектов, донорных, акцепторных примесей, примесей с глубо ... More
Add   Особенности фотоэлектрических характеристик структур TiO2-Si
Authors: Калыгина, Вера Михайловна | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Егорова, Ирина Максимовна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 143-146
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Исследовано влияние термического отжига в аргоне на фотоэлектрические характеристики структур TiO2- n -Si. Пленки оксида титана толщиной 70 нм получали ВЧ-магнетронным напылением на эпитаксиальный кре ... More
Add   Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 2
Authors: Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 2. С. 14-22
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Представлен обзор работ по магнитным свойствам арсенида галлия, легированного марганцем (GaMnAs), с включениями нанокластеров. Экспериментальные исследования однозначно показали, что GaMnAs с включени ... More
Add   Свойства структур Ga2O3–GaAs в видимом и УФ-диапазонах
Authors: Зарубин, Андрей Николаевич | Калыгина, Вера Михайловна | Петрова, Юлианна Сергеевна | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Яскевич, Тамара Михайловна | Вишникина, Вера Валерьевна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8/3. С. 181-184
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Механизм проводимости гетеропереходов Ga2O3-GaAs
Authors: Ремизова, Ирина Леонидовна | Калыгина, Вера Михайловна | Толбанов, Олег Петрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 241-245
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Показано, что проводимость структур Ga2O3- п -GaAs при положительных потенциалах на затворе определяется термоэлектронной эмиссией из GaAs в Ga2O3. При отрицательных смещениях проводимость структур об ... More

Creator

Date

Subject

Resource Type

^