В монографии систематизированы наиболее важные, по нашему мнению, данные, касающиеся процесса диффузии в арсениде галлия собственных точечных дефектов, донорных, акцепторных примесей, примесей с глубокими энергетическими уровнями, образованию дислокаций в процессе диффузии примесей. Обсуждены механизмы диффузионных процессов. Для широкого круга специалистов – научных сотрудников, инженеров, преподавателей, аспирантов и студентов старших курсов, специализирующихся в области физики и технологии полупроводниковых материалов и микроэлектроники.
-
Посвящается 70-летию радиофизического факультета Томского государственного университета