Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 63 Results

Showing items 1 - 15 of 63.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Труды Пятнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-19 мая 2018 г.. Томск, 2018. С. 223-226
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 3. С. 82-88
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Систематизированы данные по электрическим, структурным и магнитным свойствам арсенида галлия, легированного железом и полученного разными методами. Рассмотрены условия получения структур с магнитными ... More
Source: Journal of instrumentation : electronic journal. 2017. Vol. 12, № 1. P. C01063 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Producing of large area matrix detectors based on semiconductor materials with high atomic number suitable for the registration of the synchrotron radiation of high intensity in the photon energy rang ... More
Source: Journal of instrumentation : electronic journal. 2017. Vol. 12, № 2. P. C02016 (1-8)
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Previous works onchromium compensated gallium arsenide (GaAs:Cr) have shown high efficiency, good spatial and energy resolution, which is obviously connected with the high quality of material itself. ... More
Source: Сборник тезисов участников форума "Наука будущего – наука молодых" : III Всероссийский научный форум, 12 сентября - 14 сентября 2017 года, г. Нижний Новгород. М., 2017. С. 391-393
Type: статьи в сборниках
Date: 2017
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 254-256
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Труды XIII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-18 мая 2016 г.. Томск, 2016. С. 38-39
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 259-261
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Труды XIII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-18 мая 2016 г.. Томск, 2016. С. 40-43
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Infrared physics and technology. 2015. Vol. 71. P. 236-241
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Metal–insulator–semiconductor structures based on n-Hg1−xCdxTe (x = 0.19–0.25) were grown by molecular-beam epitaxy on the GaAs (0 1 3) substrates. Near-surface graded-gap layers with high CdTe conten ... More
Source: Opto-electronics review. 2015. Vol. 23, № 3. P. 200-207
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Studies of background donor concentration (BDC) in HgCdTe samples grown with different types of technology were performed with the use of ion milling as a means of eliminating the compensating accepto ... More
Source: Journal of instrumentation : electronic journal. 2015. Vol. 10, № 1. P. C01020 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The investigation of the pulse height distribution and X-ray sensitivity depending on the contact material on high resistive chromium compensated gallium arsenide (HR GaAs:Cr) sensors is presented. So ... More
Source: Journal of instrumentation : electronic journal. 2015. Vol. 10, № 1. P. C01047 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: High resistivity, chromium compensated gallium arsenide (HR-GaAs:Cr) has recently shown to be a promising sensor material for X-ray detectors due to its high resistivity, its fully active volume, the ... More
Source: Physics of particles and nuclei letters. 2015. Vol. 12, № 1. P. 59-73
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: This paper describes an iterative method of per-pixel energy calibration of hybrid pixel detectors with GaAs:Cr sensor and Timepix readout chip. A convolution of precisely measured spectra of characte ... More
Source: IEEE transactions on medical imaging. 2015. Vol. 34, № 3. P. 707-715
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: High resistivity gallium arsenide is considered a suitable sensor material for spectroscopic X-ray imaging detectors. These sensors typically have thicknesses between a few hundred μm and 1 mm to ensu ... More

Date

^